پایان نامه محاسبه سطح مقطع راداری هواپیما با استفاده از معادله سهمی

آنالیز دقیق پراکندگی اشیا با ابعاد بزرگ در مقایسه با طول موج با استفاده از روشهای دقیق (عنصر محدود، EDTD، روش گشتاور) با یک کامپیوتر شخصی، تقریبا غیرعملی است. در روشهای مجانب، اتپیک های فیزیکی (PO)، نظریه هندسی دیفراکسیون (GTD) الگوبرداری دقیق مرز اشیا، نیز سخت است. روش معادله سهمی، نتایج دقیقی را در محاسبات پراکندگی از اشیا با ابعادی در دامنه ی یک تا ده طول موج، ارائه می دهد. حل معادله سهمی با مقاله، روش محاسبه سطح مقطع رادار با استفاده از معادله ی سهمی در سه بعد، مورد مطالعه قرار می گیرد و معادلات ضروری ارائه می شود. برای نشان دادن اعتبار معادله ی سهمی، RCS یک کره ی فعال محاسبه می شود و نتایج با نتایج تحلیلی مقایسه می شود. RCS هواپیما با استفاده از مدل پله ای در معادله ی سهمی، محاسبه می شود و نتایج با نتایج اپتیک های فیزیکی، مقایسه می شود.

بررسی مقایسه ای سلامت روانی بین سالمندان ساکن خانه سالمندان و سالمندان ساکن در منزل در شهرهای گرگان و بستک.

فهرست مطالب

بیان مسأله
اهداف تحقیق
سوالات پژوهش
مفاهیم و متغیرهای بکار رفته در پژوهش
مفاهیم به کار رفته در پرسشنامه سلامت روان GHQ – ۲۸
پیشینه تحقیق
مقدمه
پیشینه نظری
مفهوم سلامت روان شناختی یا سلامت روان
مفهوم سلامت روان در نظریه های روانکاوی
دیدگاه فروید (۱۸۵۶) در ارتباط با سلامت روان
مفهوم سلامت روان در نظریه روانی اجتماعی و زیستی آدلر (۱۸۷۰)
نظریه اریکسون (۱۹۶۳) در ارتباط با سلامت
نظریه کورت لوین)۱۸۹۰( در ارتباط با سلامت روان
نظریه کارل راجرز (۱۹۰۲) در ارتباط با سلامت روان
مفهوم سالمندی در نظریه های مختلف
پیشینه پژوهشی
مقایسه سلامت عمومی و حمایت اجتماعی بین سالمندان ساکن در خانه
سالمندان و سالمندان ساکن در خانواده های شهر اهواز
بررسی کیفیت زندگی سالمندان مقیم در منزل و سرای سالمندان در شهرستان ساری، سال ۱۳۸۴
یافته ها
روش تحقیق
جامعه آماری
روش نمونه گیری
نمونه
روش گرد آوری اطلاعات
ابزار مورد استفاده پژوهش
شیوه تجزیه و تحلیل داده
یافته های تحقیق
مقدمه
بحث، تفسیر، نتیجه گیری
محدودیت های پژوهشی
پیشنهادات
منابع
پیوست
جدول (۱) سالمندان ساکن سرای سالمندان شهر بستک
جدول (۲) سالمندان ساکن در منزل شهر بستک
جدول (۳) سالمندان ساکن در سرای سالمندان شهر گرگان
جدول (۴) سالمندان ساکن در منزل شهر گرگان

مقاله معرفی و آموزش انواع مختلف سیستمهای ترمز موجود در جهان

آهنربای دائم به اختصار PM۱ خوانده می‌شود و قطعه‌ای از فولاد سخت و یا دیگر مواد مغناطیسی که تحت اثر میدانهای شدید ، مغناطیس شده و این اثر را برای مدت طولانی در خود حفظ می‌کنند. اثر آهنربایی اولین بار ، روی قطعه‌هایی از سنگ معدن آهن ، به نام آهنربای طبیعی یا معدنی در طبیعت مشاهده شد و دیدند که قطعات آهن را به خود جذب می‌کند.

تحقیق آماده: بررسی و طراحی فضای بازی کودکان همراه با مطالعه موردی پارک ملت شهر مشهد - 22 صفحه فایل ورد

پارک ملت مشهد

این پارک بزرگترین پارک در محدوده شهرستان مشهد می‌باشد.

پارک ملت درغرب مشهد و در ضلع شمال غربی میدان آزادی و ابتدای بلوار وکیل آباد واقع شده و با مساحت 720000 متر مربع یکی از بزرگترین پارک‌های داخل شهر مشهد است که هم اکنون جزء محدوده خدماتی منطقه 11 است.

این پارک درسال 1345 احداث شد و از آن زمان تاکنون بخش‌های مختلف فرهنگی و ورزشی و تفریحی در آن احداث شده است و هم اکنون نیز امکانات جدیدی در دست احداث می‌باشد.

در بخش‌های مختلف پارک علاوه بر امکانات بهداشتی و مسجد، شهربازی و مجموعه‌های تفریحی کودکان، میادین ورزشی، استخرشنا و استخر طبیعی با امکانات جدیدی دردست احداث می‌باشد.

در بخش‌های مختلف پارک علاوه بر امکانات بهداشتی و مسجد، شهربازی و مجموعه‌های تفریحی کودکان، میادین ورزشی، استخرشنا و استخر طبیعی با امکانات قایقرانی و میادین اسکیت وجود دارد. نیز با احداث مجتمع فرهنگی امام رضا (ع) توسط اداره کل ارشاد اسلامی خراسان، کتابخانه و مراکز فعالیت‌های فرهنگی و هنری نیز در داخل این پارک فراهم‌شده است.

درخت‌های گوناگون و گلکاری‌ها و خیابان و حوض‌ها و اقامتگاه‌های موقت ودیگر تجهیزات و امکانات تفریحی و موقعیت مناسب شهری باعث شده‌ است تا این پارک همواره محل استراحت و تفریح شهروندان مشهدی و زائران باشد. ضمن آن که به مناسبت‌های مختلف نمایشگاه‌هایی درداخل و اطراف این پارک برگزار می‌شود.

قدیمی‌ترین شهر بازی مشهد درسال 1351 دراین پارک احداث شد و به تدریج توسعه یافت.

در این پژوهش برای بررسی چگونگی طراحی فضای بازی کودکان و سنجش معیارهای بکار رفته در آن و تشخیص نقاط ضعف و قوت آن و در نهایت تشخیص میزان استاندارد بودن آن نحوه طراحی بکا ررفته (در فضای بازی کودکان پارک ملت مشهد ) و در خاتمه ارائه پیشنهاداتی برای بهینه تر کردن طراحی این محیط، پرسشنامه‌ای براساس معیارها و استانداردهای فضای بازی (که شامل وسایل بازی، فضای بازی و غیره) برای سنجش (میزان ایمنی، مطلوبیت فضا، آسایش فضا، رعایت استانداردها و غیره) تهیه شده است. که این پرسشنامه از طریق حضور نگارنده در محیط و مصاحبه با شهروندان و سنجش معیارها در محیط به صورت میدانی تکمیل گردیده است. در طرح پرسشنامه سعی شده است عوامل کیفی به کمی تبدیل گردند، و سرانجام با یافته‌های حاصل از تکمیل پرسشنامه پیشنهاداتی برای استانداردتر کردن طراحی فضاهای بازی ارائه شده است.

فوتودیودهای آوالانژ (APDS)

مقاله فارسی در فرمت ورد word قابل ویرایش – 14 صفحه

فوتودیودهای آوالانژ (APDS)

APDS سیگنال را در طی فرایند آشکارسازی تقویت می کنند . آنها از یک اصل مشابه با لوله های «فوتومولتی پلایر» بکار رفته در آشکارسازی تشعشع هسته ای استفاده می کنند . در لوله فوتومولتی پلایر :

1-یک فوتون واحد که بر روی دستگاه عمل می کند یک الکترون واحد منتشر می نماید .

2-این الکترون از طریق یک میدان الکتریکی شتاب داده می شود تا اینکه به یک ماده هدف برخورد نماید .

3-این برخورد با هدف باعث «فیلتراسیون ضربه ای» می شود که الکترون‌های متعددی را منتشر می نماید .

4-این الکترون ها از طریق میدان شتاب می گیرند و به هدف دیگر می‌خورند .

5-این امر الکترون بیشتری منتشر می کند و فرایند تکرار می شود تا اینکه الکترون ها به یک عنصر جمع آوری کننده برخورد می کند . لذا ، طی مراحل گوناگون ، یک فوتون به یک جریان از الکترون ها منجر می شود .

APD ها با لوله های فوتومولتی پلایر فرق دارند . لوله‌های‌فوتومولتی‌‌ پلایر‌

لوله های خلاء با هدف هایی قرار گرفته در طول لوله می باشند . APD‌ها از همان اصول استفاده می کنند اما تکثیر در داخل خود ماده نیمه هادی صورت می گیرد . این فرایند در APD ها منجر به یک تقویت داخلی بین 7 تا 100 برابر می شود . هر دو الکترون و سوراخ ها (حفره ها) اکنون می توانند به فرایند تقویت کمک نمایند . با این حال ، یک مسئله کوچک وجود دارد . با نگاه به   آشکار می شود که وقتی یک الکترون یک اتم را یونیزه می‌کند یک الکترون اضافی و حفره اضافی تولید می شود . الکترون به طرف چپ عکس حرکت می کند و حفره به سمت راست می رود . اگر حفره در اتم یونیزه شود یک الکترون (و یک حفره) آزاد می کند و الکترون به چپ حرکت می کند و دوباره شروع می نماید !‌

اگر سوراخ ها و حفره ها دارای فرصت برابر برای یونیزاسیون باشند می‌توانیم یک بهمن کنترل نشده بدست آوریم که هرگز متوقف نمی شود ! بنابراین وسایل طوری ساخته می شوند که یکی از حاملان بار دارای یک استعداد و آمادگی بیشتری برای یونیزاسیون نسبت به دیگری باشند .

نتیجه فرایند فوق آن است که یک فوتون وارد شونده منفرد بتواند منجر به تولید بین 10 تا 100 و یا چندین جفت حفره - الکترون شود . موارد مهم درباره دستگاه فوق الذکر آن است که ناحیه تکثیر خیلی کوچک است و جذب داخل لایه n بجای نزدیک به اتصال رخ دهد . یعنی ، جذب و تکثیر در نواحی جداگانه ای صورت می گیرند . شکل 103 را ملاحظه کنید . دو عامل مهم وجود دارد : 1-استحکام میدان الکتریکی مورد نیاز خیلی بالا است( ) . در حضور چنین میدان قوی ای ، نقائص در ناحیه تکثیر (مثل عدم انطباق های شبکه ای ، ناخالصی ها و حتی تغییرات در غلظت دو پانت) می توانند تولید نواحی کوچکی از تکثیر کنترل شده موسوم به «میکروپلازماسی» نمایند . برای کنترل این پدیده ناحیه تکثیر لازم است کوچک باشد . برای ایمنی این امر، حلقه محافظ فوق الذکر نصب شده است . در اطراف لبه های ناحیه تکثیر شما می توانید بی نظمی هایی و نقائصی را در ماده ببینید . بدون حلقه محافظ این موارد بصورت محل هایی برای میکروپلازماس عمل می کنند . بعلاوه ، برای ایجاد یک میدان الکتریکی با استحکام لازم ما لازم است یک ولتاژ بایاس کاربردی بکار بریم که با ضخامت ناحیه تکثیر افزایش می یابد . (برای دو برابر ضخامن ناحیه - دو برابر ولتاژ کاربردی مورد نیاز خواهد بود ) . دمای ولتاژها (ولتاژهای بالاتر از 12 ولت) گران قیمت بوده و به سختی در دستگاه‌های نیمه هادی کنترل می شوند و بنابراین سعی می کنیم ولتاژ کاربردی را حداقل نماییم ) . یک APD یک دیود P-i-n با یک بایاس معکوس بسیار بالاست . یک بایاس معکوس 50 ولت برای این دستگاه ها در مقایسه با دیودهای p-i-n بکار رفته در مورد فوتوکانداکتیو ، مناسب است که بایاس معکوس شده برای حدود 3 ولت است .(یا کمتر)

در گذشته ، APD ها در بازار به بایاس معکوس چند صد ولت نیاز داشتند اگرچه اخیراً‌ ولتاژهای کمتری بدست آمده اند . تفاوت ساختاری اصلی بین APD و یک دیود p-i-n در ناحیه «i» است که نام گذاری مجدد لایه p گرفته است . و بویژه ضخیم تر از یک ناحیه است و دستگاه برای تضمین یک میدان الکتریکی یکنواخت در کل لایه طراحی می شود . حلقه محافظ در این شکل برای جلوگیری از تعامل (اندرکش) های ناخواسته در طرف لبه های ناحیه تکثیر می باشد . دستگاه به این صورت عمل می کند :

فوتون های ورودی عمدتاً از اتصال n-p عبور می کنند (چون خیلی نازک است ) و در لایه ها جذب می شوند . این جذب کننده یک الکترون آزاد در نوار باند هادی تولید می کند و یک حفره در باند والانس (ظرفیت) تولید می گردد .

پتانسیل الکتریکی در لایه n برای جذب الکترون ها به طرف یک کنتاکت و حفره به طرف کنتاکت دیگر ، کافی است . در شکل الکترون ها به طرف لایه n+ در بالای دستگاه جذب می شوند زیرا وقتی دستگاه بایاس معکوس می‌شود بار مثبت را حمل می کند . گرادیان پتانسیل در لایه n برای حامل های کاربرها بار کافی نیست و آنها نمی توانند انرژی کافی برای انجام تکثیر را بدست آورند .