عنوان پایان نامه : فاصله سنج آلتروسنیک با قابلیت اندازه گیری دما به زبان C‎

عنوان پایان نامه : فاصله سنج آلتروسنیک با قابلیت اندازه گیری دما به زبان C‎

45 صفحه

شرح مختصر : اولتراسونیک به صوتی گفته میشود که فرکانس آن بالاتر از فرکانس صوتی است که انسان توانایی شنیدن آنرا دارد و معمولاً فرکانس بالای ۲۰khz را شامل میشود. چندین راه برای اندازه گیری مسافت بدون تماس وجود دارد. برخی دستگاه ها با ساتع کردن امواج مادون قرمز و دریافت آن فاصله شی مورد نظر را تشخیص میدهند. دستگاه های دیگری هستند که با لیزر کار میکنند و صحت عملکرد و دقت بالایی دارند. در حال حاضر تکنیک های تشخیص فاصله با لیزر، رادار، مادون قرمز و اولتراسونیک بطور گسترده در دستگاه های اندازه گیری و اکتشاف موانع و… مورد استفاده قرار میگیرند. دستگاه های اندازه گیری مسافت لیزری و راداری به دلیل گران قیمت بودن و هزینه بالا فقط در کاربردهای محدودی استفاده میشوند و تحقیقات نشان میدهد که سیستمهای تشخیص مسافت اولتراسونیک بدلیل قیمت پائین و عملکرد قابل قبول مقبولیت بیشتری دارند.

فهرست :

فصل اول: سخت افزار و توضیح قطعات سخت افزار

سخت افزار

میکرو کنترلر AVR

سنسور اولتراسونیک

تقویت کننده عملیاتی

خازن

مقاومت الکتریکی

ترانزیستور

دیود

تنظیم کننده ولتاژ

ال سی. دی کارکتری

لیست قطعات فاصله سنج

مدار فاصله سنج

فصل دوم :نرم افزار

برنامه نویسی میکروکنترلر

منطق برنامه

شروع برنامه نویسی به زبان C

برنامه نویسی ماژولار

منابع

تحقیق درموردترانزیستور

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه23

فهرست مطالب

ترانزیستور را معمولاً به عنوان یکی از قطعات الکترونیک می‌‌شناسند. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم (سیلیکان) ساخته می‌شود.

تاریخچه :

سه نفر از دانشمندان لابراتوارهای بل در صدد کشف چیزی بودند که به جای لامپ رادیو به کار برند ولی کوچکتر و محکمتر باشد برق کمتری مصرف کند و دوام بیشتری داشته باشد و برر اثر کار زیاد نسوزد که ناگهان ترانزیستور را کشف کردند که تمام این خصوصیات را به علاوه مزایای بیشتری دارا است.

در 30 ژوئن 1948 دکتر جان باردین و والد براتاین دانشمندان آزمایشگاه تحقیقاتی شرکت بل، واقع در نیویورک خبر اختراع خود را به عموم جهان رساندند. این اختراع ترانزیستور نام گرفت.

یک ترانزیستور که بزرگتر از یک عدس نیست تقریباْ قادر است هر کاری را که لامپ‌های خلاء انجام می‌دادند، انجام دهد. به علاوه کارهایی را هم که این لامپها قادر به انجام آن نبودند انجام می‌دهد. به مرور زمان ترانزیستور جای لامپهای خلاء را گرفت. درست مثل اتومبیل که جای گاریهای قدیمی و اسبی را گرفت.

اگر چه ترانزیستور می تواند کارهای لامپ خلاء را انجام دهد، اما اصلاْ شباهتی به آن ندارد. نه کاتدی دارد و نه شبکه و صفحه ای حتی شکل ظاهری آن هم با لامپ خلاء کاملاْ متفاوت است. ترانزیستور یک وسیله یک سو کننده و نوسان ساز بسیار عالی است و رل مهمی در تمامی صنایع جدید به عهده دارد. ترانزیستور بدون آنکه نیازی به گرم شدن داشته باشد به محض برقراری اتصال و ولتاژ شروع به کار می کند. جریان مصرفی آن، یک هزارم جریان مصرفی لامپ معمولی است. به همین دلیل بسیار ارزانتر و استفاده از آْن ساده‌تر است.

ترانزیستور و مدار کوچک یکپارچه این امکان را به وجود آورد که رادیوهای کوچک جیبی و تلویزیونهای کوچکتر با تصویر بزرگتر ساخته شود. یک صنعت کاملا جدید پا به عرصه وجود گاشت. امروز از برکت دستگاه تنظیم قلب که با ترانزیستور کار می کند قلب بسیاری از بیماران به حال عادی می طپد. نابینایان با کمک دستگاههای ترانزیستوری می توانند موانع را ببینند نوار قلبی بیمار بستری را به وسیله تلفن به کارشناس قبل در هر نقطه دنیا که باشد می فرستند. هواپیماهای جت با سیستم هدایت سبک وزنی مجهز هستند و بالاخره همین مدار بسته یکپارچه است که امکانات سفر بشر به ماه را فراهم نمود.

مصرف ترانزیستور به طور روزافزونی رو به ازدیاد است. در رادیو، تلویزیون، مدارات الکترونیکی، هواپیما، رایانه، پزشکی و موشک ترانزیستور استفاده می‌شود. در ابتدا وجود ترانزیستور باعث شد که ارتباطات تلفنی راه دور، به طور مستقیم و بدون استفاه از اپراتور امکان پذیر شود. برای اولین بار در تاریخ، ارتباط بین دو شهر انگل وود و نیوجرسی با استفاده از ترانزیستور برقرار شد.

امروزه بعد از گذشت حدود نیم قرن ازاختراع ترانزیستور و مشتقات آن کار به جایی رسیده است که هر کس می تواند در منزل رایانه شخصی داشته باشد. ترانزیستور معمولی چیزی بیشتر از دو تکه سیم بسیار کوچک که در یک پولک ساخته شده از ژرمانیم یا سیلیکن قرار داده شده نیست.

تئوری کار ترانزیستور کمی پیچیده و تکنیکی است اما هر چه هست در ساخت آن از خواص نیمه رسانا استفاده شده است که از زمان کشف آن مدت زیادی نمی گذرد.

در نیمه رساناها مثل ژرمانیم و سیلیکن تعداد کمی الکترون حامل جریان وجود دارد شاید یک الکترون در هر یک میلیون اتم. اگر چه این رقم خیلی کوچک است، اما می توان با تغییر ساختمان داخلی مواد، با استفاده از میدانهای الکتریکی این رقم را هزار برابر نمود.

برای روشن تر شدن مفهوم بالا باید ساختمان اتم را کمی بیشتر مطالعه کرد. الکترونهای موجود در مواد نارسانا در مدارهای مختلف بهصورت حلقه ای در اطراف هسته اتم در چرخش هستند و سرعت زیاد و تولید انرژی فراوان سبب می شود که الکترونها نتوانند از مسیر خود منحرف و یا جابجا شوند.

در نتیجه الکترونها امکان برقراری هیچ نوع جریان الکتریکی را نمی یابند. در اجسام نارسانا، پوسته الکترونی و یا باند ظرفیتی آن(آخرین حلقه الکترون دار به دور هسته اتم) از باند هدایت جدا بوده و انرژی بسیار زیادی لازم است تا یک الکترون را از پوسته الکترونی جدا کند و به باند هدایت کننده بفرستد. اما در اجسام رسانا مانند فلزات این پوسته الکترونی یا باند هدایت کننده تداخل پیدا کرده و الکترونهای به راحتی جابجا می شوند.

در یک عنصر نیمه رسانا مانند ژرمانیم و یا سیلیکن الکترونهای موجود در باند ظرفیت نزدیک به باند هدایت کننده قرار ندارند اما می توان با تحریک خارجی آنها را در هم داخل کرد. به طور مثال گرمای محیط و اتاق می تواند تعداد زیادی الکترونهای اتم ژرمانیم را به باند هدایت بفرستد و در اثر این جابجایی حفره هایی در محل های قبلی الکترونها به وجود می آید.

                                                                                                            

تحقیق درباره کاربرد ترانزیستور

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه:21
فهرست و توضیحات:

ترانزیستور

معرفی

کاربرد

عملکرد

انواع

ترانزیستور دوقطبی پیوندی

ترانزیستور اثر میدانی

فلیپ فلاپ

فلیپ فلاپ JK

مدار داخلی یک فلیپ فلاپ JK

فلیپ فلاپ T

مدار داخلی یک فلیپ فلاپ       T

نگاه اجمالی

اساس کار پتانسیومتر

با دقت زیاد قابل تنظیم است. در این نوع وسایل ، یک باتری با ولتاژ V از طریق رئوستای r به پتانسیل سنج وصل میشود. و رئوستا تا جایی میزان میشود که ولتاژ VBA مقدار معین و دقیقی (مثلا 1.6000 ولت) داشته باشد. هنگامی که ولتاژ نامعلوم Vx را از طریق گالوانومتر به سر اتصال T اعمال میکنیم. نسبت R1/R را آنقدر تغییر میدهیم تا گالوانومتر عبور هیچ جریانی را نشان ندهد. در این شرایط ، ولتاژ Vx برابر است با (VBA(R1/R.

روش درجه بندی ولتاژ

برای درجه بندی ولتاژ VBA ، پیل استانداردی را با ولتاژ دقیقا معلوم به جای Vx قرار میدهیم، نسبت R1/R متناظر با این ولتاژ را تنظیم ، رئوستای r را برای جریان صفر گالوانومتر میزان میکنیم. با استفاده از پتانسیل سنج بسیار دقیق میتوان ولتاژها را تا پنج رقم با معنی و تا حد میلی ولت هم اندازه گیری کرد. اما ، فرآیند اندازه گیری با پتانسیل سنج کند و دستگاه اندازه گیری هم پر حجم است. در حال حاضر ، بیشتر اندازه گیریهای دقیق ولتاژ با استفاده از ولت سنجهای رقمی و دقیق انجام میگیرند. پتانسیل سنج را برای درجه بندی ولت سنج رقمی میتوان بکار برد.

آزمایش تامسون

تامسون در آزمایشی که در سال 1913 انجام داد، گاز نئون را به وسیله الکترونهای پر انرژی کاتدی گلوله باران کرد. اتمهای برانگیخته شده نئون با از دست دادن یک الکترون به یونهای  تبدیل شدند. با سرعت دادن به این یونهای مثبت در میدان الکتریکی و سپس منحرف کردن مسیر آنها در میدان مغناطیسی، مشاهده شد که مقدار انحراف یونهای  یکسان نیست، بلکه سه لکه رنگین نزدیک به یکدیگر بر صفحه فلوئورسان پدید میآورند.

قاعده کلی این است که هر چه ذره متحرک سنگینتر باشد، دچار انحراف کمتری میشود. بنابراین میتوان نتیجه گرفت که این یونهای گازی از سه نوع اتم نئون پدید آمدهاند که ساختمان الکترونی یکسان داشته ولی در جرم با یکدیگر متفاوت هستند، بدینسان مفهوم ‹‹ ایزوتوپ›› پیشنهاد شد و یک پایه مهم دیگر از تئوری اتمی دالتون فرو ریخت زیرا ثابت شد که اتمهای یک عنصر ممکن است یکسان نباشند!

رادرفورد برای تفسیر علت تفاوت جرم ایزوتوپهای نئون، وجود ذره بنیادی و خنثای ‹‹ نوترون›› را پیش بینی کرد که 12سال بعد به وسیله چادویک به طریق تجربی به اثبات رسید.

نگاهی اجمالی

هرگاه از یک سیم پیچ که دارای هسته آهنی است، جریان الکتریکی عبور کند، هسته سیم پیچ آهنربا میشود. از این خاصیت برای قطع و وصل مدارها استفاده میشود. جزئی که این عمل را انجام میدهد، رله نامیده میشود. بطور کلی رلهها به دو دسته تقسیم میشوند:

رله ضربهای

رله ضربهای تشکیل شده است از یک بوبین با هسته آهنی که یک اهرم در بالای آن قرار دارد. وقتی ولتاژ به بوبین وصل میشود، اهرم به طرف هسته کشیده میشود. در انتهای اهرم یک زائده پلاستیکی وجود دارد. در مقابل این زائده یک چرخ دنده به اندازه 8/1 دور دوران میکند. در زیر این چرخ دنده کنتاکتی وجود دارد که با چرخش چرخ دنده قطع و وصل میشود. طریقه قطع و وصل به این ترتیب است که روی محور چرخ دنده یک مکعب وجود دارد که هنگام دوران ، در یک مرحله سطح صاف مکعب و در مرحله بعد راس مشترک بین دو سطح جانبی مکعب روی کنتاکت قرار میگیرد و به این ترتیب مدار را قطع و وصل میکند

تحقیق در مورد ترانزیستور

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه30

فهرست مطالب

چکیده مقاله : 

1-       زوج دارلینگتون

آرایش های مداری مشهور :

1-       منبع جریان ثابت

4 – منبع ولتاژ ثابت

عملکرد

پل دیود یا Bridge Rectifiers

         علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد

متن کامل مقاله :

 علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد .

ترانزیستور یک قطعه سه پایه است که ساختار فیزیکی آن بر اساس عملکرد نیمه هادی ها می باشد.ترانزیستور را از دو نوع نیمه هادی با نام سلسیوم و ژرمانیوم می سازند.عموما در یک تقسیم بندی ترانزیستور ها را به دو دسته ترانزیستور های BJT و FET  تقسیم می کنند . ترانزیستور های BJT با نام ترانزیستور های پیوند دو قطبی و ترانزیستور های FET با نام ترانزیستور های اثر میدان شناخته شده­اند.FETها دارای سرعت سوئیچینگ کمتر از BJT  هستند .

معمولا ترانزیستور را با دو دیود مدل سازی می کنند از این مدل

مقاله ای کامل در مورد ترانزیستور

این مقاله در قالب word بوده و به شرح کامل تمام قسمت های ترانزیستور به طور کامل پرداخته است.

ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات اکترونیکی و یکی از ادوات حالات جامد است که از مواد نیمه رسانایی  مانند  سیلیسیم  وپ ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای  نوع nو  نوع p می‌باشد.

ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند:  ترانزیستور های اتصال دوقطبی (BJT) و  ترانزیستور های اثر میدانی (FET). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بین ورودی وترمینال مشترک رسانایی بین خروجی و ترمینال مشترک را افزایش می‌دهد، از اینرو سبب کنترل جریان بین آنها می‌شود. مشخصات ترانزیستورها به نوع آن بستگی دارد.

لغت «ترانزیستور» به نوع اتصال نقطه‌ای آن اشاره دارد، اما انی سمبل قدیمی با سمبل‌هایی را کردند که اختلاف ساختار ترانزیستور دوقطبی را به صورت دقیقتر نشان می‌داد، اما این ایده خیلی زود رها شد.

و..