انتقال و توزیع برق
47 صفحه در قالب word
معرفی
انتقال و توزیع
مقایسه سیستم انتقال هوایی و زیرزمینی
مزایا و معایب خطوط انتقال زیرزمینی
انتقال با خطوط ابررسانا
توزیع توان با خطوط انتقال کم مقاومت
خطوط رایج کم مقاومت ابررسانایی فیبرهای گرافیت با پوشش فلزیخطوط انتقال انعطاف پذیر ولتاژ متناوب (FACTS)
مبانی FATCSسیستم های عامل FATCSتوان الکتریکی سفارشی خازنهای پیشرفتهعایقهای الکتریکی
کابلهای توزیع
کابلهای کششی عایقهای پیشرفته پلیمری انفجار زیرزمینی حل مشکل انفجارهای زیرزمینی یافتن محل خطا کابلهای هوشمند خوردگی سیم زمین و سیم خنثی و محافظت از آنترانسفورماتورها
ترانسفورماتورهای معمولی ترانسفورماتورهای فشرده ترانسفورماتورهای فرورزونانس ترانسفورماتئرهای حالت جامدمنابع و ماخذ
مقدمه
در دهه 60 ظرفیت تولید انرژی الکتریسیته در آمریکا تقریبا دو برابر شد و میزان 175GW به 325GW رسید ( هر گیگاوات معادل 109 وات است . ) پس میزان در سال 1974 به 474GW و تا سال 1980 به 600GW رسیده بود . در پایان سال 1993 ، از 700GW نیز گذشت . پیش بینی می شود که تا سال 2010 تولید باید به میزان 210GW افزایش یابد که در نتیجه میزان مصرف برق آمریکا به یک TW می رسد ( هر تراوات 1012 وات است . ) . تنها 20% ظرفیت فوق در حال احداث است .
مصرف رو به رشد الکتریسته معمولا بیشتر از تولید ناخالص داخلی است . با حرکت به سوی انحصار زدایی و رقابت فشرده این رشد باید به دقت پیش بینی شود . نظارت بر رعایت حریم خط انتقال و سرمایه گذاریهای کلان ایجاب می کند که رشد مصرف به دقت پیش بینی شود . از آنجایی که این عوامل هم در توزیع و هم در انتقال تاثیر گذارند ، در اینجا بین آنها تمایز قائل نمی شویم و به طور کلی صحبت می کنیم .
قبل از بحران انرژی سال 1974 ، مصرف الکتریسیته در آمریکا و غرب اروپا در مدت نزیدک به 10 سال دو برابر شد که به معنی رشد سالانه 7% است . تا چند سال بعد از 1974 ، عوامل متعددی این میزان رشد را به 3% کاهش داد . در حال حاضر ، میانگین رشد مصرف خانگی در حدود 2% است . تا سال 2030 این میزان رشد در صورت افزایش مصرف از 30% فعلی به 50% پیش بینی شده افزایش فوق العاده ای خواهد داشت . افزایش جمعیت و به تبع آن افزایش تراکم باعث افزایش تراکم باعث افزایش این میزان می شود زیرا انرژی الکتریکی کم هزینه ، امن ، و ارزان است . بالا رفتن سطح زندگی مردم نیز عامل موثری در رشد مصرف برق است .
پیش گفتار
توانمندی شرکتهای خصوصی برق در دو دهه آینده به طور خاص وابسته به بهبود سیستمهای قدرتشان است . می توان کابلهای هوشمندی ساخت که در یافتن مکان خطا مفید باشند و هم بتوانند در مراحل اولیه آن را شناسایی کنند . این باعث می شود رفع خطا در زمان بازبینی ادواری امکان پذیر شود ، پس از آنکه خسارات زیادی به بار آید . در صورتیکه سرمایه و تلاش لازم را برای توشعه و پیشرفت ترانسفورماتورها صرف کنیم می توانیم ترانسفورماتورهای کوچک تری بسازیم . نتیجه مستقیم این اقدام کاهش تلفات است . پیشرفتهای جدید در زمینه حل مشکل تجمع بارهای الکتریکی به دلیل حرکت روغن به مراحل موفقیت آمیزی رسیده است . قادر خواهیم بود الکتریسیته را با کیفیت بهتر به مشتریانی که به کیفیت بالا نیاز دارند برسانیم . محدود کننده های جریان ، نه تنها از سیستم محافظت می کنند بلکه فشار وارد بر کلیدها را کاهش می دهند .
مواد ابررسانا تلفات توان را کم می کنند و در نتیجه چگالی توان افزایش می یابد . در تولید این مواد دقت خاصی به کار می رود . همانطور که در تولید مواد نمیه رسانا به دلیل مسمومیت زایی شدید انجام می شود . حتی اگر بی خطر بودن این مواد ثابت شود ، همواره عموم مردم در پذیرفتن آن دچار تردیدند و شرکتها باید به موقع به سوالهای آنها پاسخ دهند . افزایش آگاهی مردم در مودر میدانهای الکترومغناطیسی نیز باید مورد توجه قرار گیرد . خودکارسازی در توزیع برق رایح می شود و باعث بهبود تحویل توان می گردد.
هر سیستم قدرتی در آینده باید قابلیتهای زیر را داشته باشد :
با راهبردهای مناسب در عرصه رقابت باقی بماند ؛خدمات بهتری عرضه کند ؛مدیریت بهتری برای امکانات خود داشته باشد ؛ عمر مقید تجهیزات را افزایش دهد ؛عیب یابی را بهبود بخشد ؛با قابلیت اطمینان بالاتر از تجهیزات نگهداری کند .حال به بررسی تغییراتی که تا سال 2020 به وقوع خواهند رسید ؛ موارد دارای احتمال کمتر را تعیین و بر تغییرات اساسی و محتمل تاکید می کنیم . بیست سال زمان کوتاهی برای مشخص شدن تاثیرات تولید الکتریسیته به صورت غیر متمرکز است ولی سعی می کنیم بعضی از آثار آن را بررسی کنیم .
ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است
متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید
چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است
فیلترهای میانگذر دوبانده با استفاده از رزوناتورهای دومودی
56 صفحه در قالب word
فهرست مطالب
فصل اول: مقدمه
1-1 رزوناتورهای صفحه ای
1-2 فیلترهای پایین گذر صفحه ای
1-3 فیلترهای میانگذر صفحه ای
1-3-1 فیلترهای میان گذر باند باریک و پهن باند
1-3-2 فیلترهای میان گذر فراپهنباند
1-3-3 فیلترهای میانگذر دوبانده
فصل دوم: ساختارهای چندلایه و کاربردهای فیلتری آنها
2-1 مقدمه
2-2 سطح مقطع خط هم صفحه چندلایه
2-3 عناصر شبه فشرده
2-4 فیلترهای پایینگذر
فصل سوم: فیلترهای میانگذر دوبانده با استفاده از رزوناتور دومدی
3-1 مقدمه
3-2 فیلتر مایکرواستریپ دوبانده
3-2-1 توپولوژی فیلتر
3-2-2 کنترل فرکانس مرکزی و پهنای باند
3-2-3 نتایج تجربی
منابع و مراجع
فصل دوم
ساختارهای چندلایه و کاربردهای فیلتری آنها
2-1 مقدمه
ساختارهای چندلایه یک فناوری بالقوه در مدارهای MMICو MICارائه می دهند [69-72و73]. این ساختارها به عنوان نامزد خوبی برای کاربردهای فیلتری معرفی شدند [70]. این ساختارها دارای بازه فرکانسی عریض تری و امپدانس مشخصه تقریبا ثابتی هستند و با قرار دادن این ساختارها در دو طرف زیرلایه می توان کوپلینگ خازنی موثری بین روزناتورها ایجاد کرد [70و72].
از ساختارهای چندلایه معمولا در تکنیک های موجبر هم صفحه (CPW)، خط مایکرواستریپ (ML) و استریپ لاین معلق (SSL) استفاده می شود. این ساختارها در طراحی اجزای مایکروویو و موج میلیمتری درجه آزادی بیشتری به طراح می دهند. ساختارهای چندلایه CPWمعمولا بر روی یک فیلم نازک ساخته می شوند و نوارهای فلزکاری و صفحات زمین حکاکی می شوند [72]. در ساخت قطعات فرکانس بالا، ماده استفاده شده برای فیلم نازک دی اکسید سیلسکون SiO2است [74و75]. سپس، فیلم نازک بر روی یک زیرلایه سیلیکون با مقاومت ویژه بالا ساخته می شود. با این وجود، این فرآیند یک فرآیند پیچیده و گران است.
این فصل به بررسی ساختار چندلایه پرداخته و فیلترهای مختلفی را بر اساس این فناوری معرفی می کند. فیلترهای پایین گذر و بالا گذر فشرده با استفاده از این فناوری طراحی شده اند و توانایی این فیلترها را در یکپارچه شدن با ML ، CPW و یا هر دو را نشان می دهد. این فیلتر با استفاده از عناصر شبه فشرده طراحی شده است. در بخش آخر یک فیلتر استریپ لاین معلق فراپهن باند ارائه شده است. این فیلتر دارای باند قطع بسیار عریضی است، علاوه بر این، این فیلتر دارای تغییرات تاخیر گروه کمی در باند گذر می باشد.
2-2 سطح مقطع خط هم صفحه چندلایه
خط هم صفحه چندلایه (MCL) با سطح مقطع اصلاح شده در این بخش بررسی شده است. شکل 2-1 ساختار MCL پیشنهادی را نشان می دهد. تنها از یک زیرلایه استفاده شده است و فیلتر در دو سمت آن ساخته شده است. شکل 2-1 الف سطح مقطع MCL را نشان می دهد که برای کوپلینگ از پهلو استفاده می شود. در این ساختار می توان به کوپلینگ خازنی بالایی دست یافت، چرا که بین فلزکاری هر دو سمت زیرلایه هم پوشانی اتفاق می افتد.
این ساختار را می توان با مدارهای مبتنی بر CPW و مایکرواستریپ بسته به سمتی که مدارها درآن ساخته می شوند، یکپارچه کرد. این مسئله در مورد خطوط مایکرواستریپ و CPW استاندارد صادق نیست، زیرا این فناوری ها نیازمند مجتمع سازی شبکه های انتقال با یکدیگر می باشند. شکل 2-1 ب سطح مقطع MCL را نشان می دهد که به منظور مجتمع سازی با خط CPW استاندارد طراحی شده است. شکل 2-1 ج سطح مقطع خطی را نشان می دهد که با خط مایکرواستریپ سازگار می باشد.
ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است
متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید
چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است
مطالب این پست : دانلود پایان نامه ترانسفورماتور تکفاز و سه فاز
پایان نامه رشته مهندسی برق مقطع کارشناسی
با فرمت ورد word ( دانلود متن کامل پایان نامه )
نکته مهم : در درج تکه هایی از پایان نامه اشکال درج نشده ولی در فایل دانلودی اشکال موجود است
مقدمه
ترانسفورماتور یک وسیله الکترومغناطیسی ساکن است که می تواند انرژی جریان متناوب را از مداری به مدار دیگر فقط با حفظ اندازه فرکانس انتقال دهد و معمولاً به عنوان مبدل ولتاژ به کار می رود. یک ترانسفورماتور از دو سیم پیچ که بر روی یک هسته مغناطیسی ( مثلاً هوا یا آهن ) پیچیده شده اند، تشکیل می شود.
توجه : استفاده از هسته فرومغناطیسی به جای هسته هوا باعث افزایش چگالی شار ( B ) هسته می شود .
دو سیم پیچ از لحاظ الکتریکی جدا از هم ، ولی از لحاظ مغناطیسی توسط مسیری که دارای رلوکتانس ( مقاومت مغناطیسی ) کوچکی است به هم مرتبط می باشند.
اساس کارترانسفورماتور چنین است :
با عبور جریان متناوب از سیم پیچ اول ( اولیه )، در اطراف آن میدان مغناطیسی متناوبی ایجاد شده و از طریق هسته مسیر خود را می بندد و سیم پیچ دوم ( ثانویه ) را قطع می کند. بنابراین بر اساس قانون فاراده ولتاژی در سیم پیچ ثانویه القاء می شود که اگر مدار این سیم پیچ از طریق مصرف کننده ای بسته شود جریانی در آن جاری می شود، یعنی انرژی الکتریکی
( به صورت کاملاً مغناطیسی ) از سیم پیچ اول به دوم منتقل می شود.
تعریف : گاهی بدون توجه به اولیه یا ثانویه بودن سیم پیچ ها ، سیم پیچی که تعداد دورش بیشتر است و به مدار با ولتاژ زیاد وصل شده باشد سیم پیچ فشار قوی یا H.V ( High Voltage ) و سیم پیچی که تعداد دورش کمتر است و به مدار با ولتاژ پایین یا کم وصل شده سیم پیچ فشار ضعیف یا L.V یا B.T ( Low Voltage ) نامیده می شود.
تعریف : ترانسفورماتوری که در آن ولتاژ سیم پیچ ثانویه کمتر از ولتاژ اولیه باشد کاهنده و ترانسفورماتوری که در آن ولتاژ سیم پیچ ثانویه بیشتر از ولتاژ اولیه باشد افزاینده نامیده
می شود .
توجه : ترانس ها انواع مختلفی دارند که مهمترین آنها عبارتند از :
1 – ترانس های قدرت برای انتقال و توزیع انرژی الکتریکی
2 – ترانس های مخصوص جهت تغذیه کوره های الکتریکی و ترانس های جوشکاری
3 – ترانس های جریان و ولتاژ جهت انشعاب و اتصال وسایل اندازه گیری
4 – اتو ترانس ها برای داشتن ولتاژ قابل تنظیم و جهت راه اندازی موتورهای ac
5 – ترانس های آزمایش در آزمایشگاههای فشار قوی برای آزمایش عایق ها و روغن های ترانسفورماتور و . . .
ساختمان ترانسفورماتور تکفاز
یک ترانسفورماتور عملی از اجزاء زیر تشکیل شده است :
1 – هسته یا مدار مغناطیسی ،
2 – سیم پیچ های اولیه یا ثانویه ،
3 – ظرفی که هسته و سیم بندی در آن قرار گرفته ،
4 – ایزولاتور یا چینی عایق که توسط آن سر سیم پیچ ها به خارج هدایت می شود .
هسته :
برای غلبه بر تلفات ناشی از جریان های گردایی ( فوکو ) هسته به صورت ورقه ورقه ساخته می شود که جنس آنها را فولاد آلیاژ شده با سیلیکون ( سیلیس ) خوب می باشد که تلفات کم و ضریب نفوذ و چگالی شار زیادی دارد و بین ورقه ها از کاغذ یا لعاب یا قشر اکسید قرار گرفته تا از هم عایق شوند.
ضخامت ورقه ها از mm35/0 برای فرکانس Hz 50 تا mm5/0 برای فرکانس Hz25 تغییر
می کند.
جنس هسته می تواند از فریت باشد که ضریب نفوذ زیاد و قابلیت هدایت کم دارد و در صنعت مخابرات ( فرکانس های بالا ) به کار می رود.
انواع ترانس از نظر قرار گرفتن سیم پیچ ها روی هسته عبارتند از :
1 – ترانسفورماتور نوع هسته ای ( Core ) یا ترانسفورماتور هسته ستونی ،
2 – ترانسفورماتور زرهی ( Shell )
در ترانسفورماتور نوع هسته ای ، سیم پیچ ها روی دو شاخه یا دو پایه جانبی هسته پیچیده
می شوند و قسمت زیادی از محیط هسته را در بر می گیرند ( شکل های زیر ) .