کارافرینی دیـود

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:42

فهرست و توضیحات:

مقدمه

تاریخچه شرکت

اهداف شرکت

کارکنان و متخصصان

تجزیه و تحلیل

محصولات

روش تحقیق

سابقه تحقیق

اصطلاحات و مفاهیم

دیـود

مقدمه

دیود چیست؟

ولتاژ معکوسدسته بندی دیودها

دیود چیست؟

این خاصیت آنها باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این وسیله الکترونیکی ، به آن دریچه یا Valve هم اطلاق شود. از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن می‌‌سازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث می‌شود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده می‌شود که چیزی حدود 0.6 تا 0.6 ولت می‌‌باشد.

دیود یکی از قطعات الکترونیکی نیمه هادی است که خاصیت یکسو سازی جریان الکتریکی را داراست.

نیمه هادی یا Semiconductor گروهی از مواد هستند که از نظر توانایی هدایت الکتریکی، بین هادی و عایق قرار دارند. موضوع قابل توجه در نیمه هادی ها این است که هدایت الکتریکی آنها تحت تاثیر عواملی چون تحریک نوری، افزایش دما و تغییر میزان ناخالصی به نحو قابل ملاحظه ای تغییر میابد. این نکته مهم بنای ساخت بسیاری از قطعه های نیمه هادی الکترونیکی قرار میگیرد.
هدایت الکتریکی در نیمه هادی ها توسط دو نوع حامل بار الکتریکی یعنی الکترونهای آزاد و حفره ها صورت میگیرد. مهمترین هادی ها در الکترونیک سیلیکن (Si) و ژرمانیم (Ge) هستند.

برای بالا بردن چگالی حامهای آزاد در نیمه هادی ها، میتوان با تزریق درصد ناچیزی از یک عنصر سه یا پنج ظرفیتی به بلور، آن را تغلیظ نمود. تزریق عناصر پنج ظرفیتی آنیتموان (Sb) ، فسفر (P) و ارسنیک (As) باعث افزایش چگالی الکترونهای آزاد در بلور خواهد شد.

با توجه به اینکه چگالی الکترونهای آزاد در بلور بیشتر باشد یا چگالی حفره ها دو نوع نیمه هادی بدست میایند که به ترتیب به آنها نیمه هادی های نوع N و نیمه هادی های نوع P گفته میشد.که از پیوند این دو نوع نیمه هادی المانی حاصل میشود به نام دیود.

 

هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل می‌‌کنید (+ به کاتد و - به آند) جریانی از دیود عبور نمی‌کند، مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی یا Leakage معرف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر می‌‌باشد. این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدارهای الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تأثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمی‌گذارد. اما نکته مهم آنکه تمام دیودها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژ معکوس بیش از آن شود دیود می‌‌سوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور می‌‌دهد. به این ولتاژ آستانه شکست یا Breakdown گفته می‌شود.

 

کارافرینی اختراع دیودها

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:15

فهرست و توضیحات:

مقدمه

تاریخچه شرکت

اهداف شرکت

کارکنان و متخصصان

تاریخچه

اختراع دیودها ( 1902 ) و تریودها (در سال 1907 ) که در خلا کار می‌کنند و استفاده از رشته تنگستن (در سال 1909 ) سرآغاز توسعه لامپهای الکترونیکی و تکمیل لامپ الکتریکی بود. همه این پیشرفتها که یکی به مبنای دیگری صورت می گرفت نیاز به تخلیه بیشتر و خلاسنجی بهتر و دقیقتر را روزافزون می‌ساخت.

دیود دید کلی

دیود یک قطعه ‌الکترونیکی است که ‌از به هم چسباندن دو نوع ماده n و p (هر دو از یک جنس ، سیلیسیم یا ژرمانیم) ساخته می‌شود. چون دیود یک قطعه دو پایانه ‌است، اعمال ولتاژ در دو سر پایانه‌هایش سه حالت را پیش می‌آورد.

دیود بی بایاس یا بدون تغذیه که ولتاژ دو سر دیود برابر صفر است و جریان خالص بار در هر جهت برابر صفر است.

بایاس مستقیم یا تغذیه مستقیم که ولتاژ دو سر دیود بزرگتر از صفر است که ‌الکترونها را در ماده n و حفره‌ها را در ماده p تحت فشار قرار می‌دهد تا یونهای مرزی با یکدیگر ترکیب شده و عرض ناحیه تهی کاهش یابد. (گرایش مستقیم دیود)

تحقیق درباره اصول دیود PIN

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:10

فهرست و توضیحات:

اصول دیود PIN

دیود PIN در بایاس مستقیم

دیود PIN در بایاس معکوس

برای نمونه، فرکانس آسایش دی الکتریک زیر 20MHz رخ می دهد و خازن بسته ای کل CT در اکثر دیودها در بایاس صفر در 100MHz مشخص می شود. اطلاعات بیشتر در فرم منحنی های مرسوم بدست می آیند که تغییرات خازنی را به عنوان تابعی از بایاس معکوس در فرکانسهای پائین نشان می دهند.

در فرکانسهای بسیار پائینتر از fT، مشخصه ی خازنی دیود PIN با یک دیود ورکتور همانندی می کند. بدلیل محدودیت فرکانسی در تجهیزات تست مرسوم، اندازه گیریهای خازنی اغلب در 1MHz بدست می آیند. در این فرکانس خازن کل CT با اعمال یک ولتاژ بایاس کافی که ناحیه-I را به طور کامل از حامل ها تخلیه می کند مشخص خواهد شد. در کنار خازن دیود یک مقاومت موازی RP نیز وجود دارد که بیان کننده تلفات و پراکندگی های خالص در دیود بایاس معکوس است. در ولتاژهای معکوس پائین، مقاومت محدود ناحیه-I باعث ایجاد یک خازن با تلفات در ناحیه-I است. همین طور که ولتاژ بایاس افزایش می یابد حامل های بیشتری از ناحیه-I تخلیه شده و موجبات ایجاد یک خازن سیلیکونی بی تلف را فراهم می کنند. مقاومت موازی بایاس معکوس RP، توسط هر مقاومت سری با نیمه هادی یا اتصال دیود نیز تحت تأثیر قرار می گیرد.