مدارهای الکترونیکی در خودرو و (ECU)

مدارهای الکترونیکی در خودرو و (ECU)

تعداد صفحات: 25 صفحه در قالب ورد

آماده برای پرینت قابل ویرایش

شامل یک صفحه بسم الله

+ یک صفحه اسم و مشخصات+

یک صفحه فهرست+

22 صفحه متن = کلا 25 صفحه

به قیمت: 3000 تومان+ تصاویر

عنوان                                    صفحه

مقدمه.........................................1

اجزای مدارهای الکترونیکی در خودرو و (ECU) .............2

دیود. ....................................2

 دیود در گرایش مستقیم ..................................3

ترانزیستور ..................................................3

  تعریف مقاومت ...................................4

مقاومت الکتریکی .....................................4

اندازه گیری مقاومت الکتریکی در مدار ...................5

اندازه گیری مقاومت الکتریکی در مدارسری ............................5 

اندازه گیری مقاومت الکتریکی در مدار موازی  ......................5 

طبقه بندی مقاومت های از نظر نوع کار ......................................5

 ای سی (IC) .....................6

خازن‌ ...............7

ظرفیت‌ .........................7

انواع حافظه  در ECU .................8

حافظه موقت .........................8

روش تجدید حافظه ECU .....................................9

حافظه دائم .............................10

امتحان جرقه از روی وایر شمع با اتصال آن به بدنه ...........11

آب زدن به ECU ......................................11

دست زدن به پین‌های ECU .......................12

نحوه ارتباط ECU با سنسورها. ......................12

انواع ECU ....................13

انواع ایسیوهای ساژم ECU SAGEM S2000 ...................14

انواع ایسیوهای زیمنس ECU SEMENS ..............14

انواع ایسیوهای بوش آلمان ECU .BOSCH .....................14

معرفی مدل ECU ها در خودروها .................................15

شرکتهای سازندگان معروف ECU   ...............................17

UNICHIP یا فن آوری تنظیم ECU.......................... 19

 Diag دیاگ..........................21

چه چیزهایی می توان از یک دستگاه عیب یاب توقع داشت؟ .................22

یکی از راه حل های تعمیر خودرو به وسیله ecu ............23

دلایل سوختن ecu ..............................23

علت خرابی ایسیو ...................24

منابع  ......................25

تعداد صفحات: 25 صفحه در قالب

ورد آماده برای پرینت قابل ویرایش

شامل یک صفحه بسم الله

+ یک صفحه اسم و مشخصات+

یک صفحه فهرست+

22 صفحه متن = تعداد صفحات: 25 صفحه

به قیمت: 3000 تومان + توضیح بهمراه تصاویر

تحقیق درباره اصول دیود PIN

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:10

فهرست و توضیحات:

اصول دیود PIN

دیود PIN در بایاس مستقیم

دیود PIN در بایاس معکوس

برای نمونه، فرکانس آسایش دی الکتریک زیر 20MHz رخ می دهد و خازن بسته ای کل CT در اکثر دیودها در بایاس صفر در 100MHz مشخص می شود. اطلاعات بیشتر در فرم منحنی های مرسوم بدست می آیند که تغییرات خازنی را به عنوان تابعی از بایاس معکوس در فرکانسهای پائین نشان می دهند.

در فرکانسهای بسیار پائینتر از fT، مشخصه ی خازنی دیود PIN با یک دیود ورکتور همانندی می کند. بدلیل محدودیت فرکانسی در تجهیزات تست مرسوم، اندازه گیریهای خازنی اغلب در 1MHz بدست می آیند. در این فرکانس خازن کل CT با اعمال یک ولتاژ بایاس کافی که ناحیه-I را به طور کامل از حامل ها تخلیه می کند مشخص خواهد شد. در کنار خازن دیود یک مقاومت موازی RP نیز وجود دارد که بیان کننده تلفات و پراکندگی های خالص در دیود بایاس معکوس است. در ولتاژهای معکوس پائین، مقاومت محدود ناحیه-I باعث ایجاد یک خازن با تلفات در ناحیه-I است. همین طور که ولتاژ بایاس افزایش می یابد حامل های بیشتری از ناحیه-I تخلیه شده و موجبات ایجاد یک خازن سیلیکونی بی تلف را فراهم می کنند. مقاومت موازی بایاس معکوس RP، توسط هر مقاومت سری با نیمه هادی یا اتصال دیود نیز تحت تأثیر قرار می گیرد.

تحقیق درباره آشنایی با ساختمان و عملکرد دیودهای نیمه هادی و ترانزیستور

فرمت فایل : word (قابل ویرایش) تعداد صفحات : 33 صفحه

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.   نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

ادامه....