مقالات رشته برق قدرت
این مجموعه شامل 19 مقاله برتر در مورد رشته برق میباشد که با قیمتی ارزان جمع آوری شده هست
1000 پایان نامه و مقاله مهندسی برق به زبان فارسی
1000 پایان نامه و مقاله مهندسی برق به زبان فارسی
مجموعه ای جامع شامل بیش از هزار پایان نامه و مقاله و پروژه رشته برق به زبان فارسی در گرایشهای مختلف و موضوعات مختلف در قالب یک دی وی دی
الکترونیک ...
دانلود مقاله کارت هوشمند
مقدمه:
وصفی که می توان در مورد کارت هوشمند بکار برد “کلیدی برای دهکده جهانی” است. کارت هوشمند موجب ایجاد تغییرات بس عظیمی در چرخه دریافت و ارسال اطلاعات و روشی برای پرداخت وجوه گشته است. کارت های هوشمند تأثیر ژرفی در فروش و ارائه خدمات نهاده است.
کارت هوشمند همانند یک “کیف پول الکترونیکی” می باشد. این کارت یک کارت اعتباری استانداردی است که با نشانة پلاستیکی هوشمندی آهار زده شده است در بدنه این نشانه پلاستیکی یک میکروچیپ [1] کار گذاشته شده است که عامل هوشمندی این نوع کارتها می باشد. این میکروچیپ نه تنها موجب ایجاد ظرفیت حافظه می شود، بلکه قابلیت محاسبه ای نیز دارد پس بنابراین میکروچیپ قابلیت پردازش اطلاعات را دارد. میکروچیپ دارای رابطه های طلائی می باشند که به وسایل دیگر نیز این قابلیت را می دهد که با آن رابطه برقرار نمایند. این میکروچیپ انواع اطلاعات را در خود حفظ می کند، از ارزش پولی ذخیره شده که برای فروش و ماشینهای فروش استفاده می شوند گرفته تا اطلاعات امنیتی و استعمال برای عملکردهای پیشرفته از قبیل ثبت پزشکی و بهداشتی. اطلاعات و عملکردهای جدید بسته به نوع قابلیت های چیپ به آن اضافه می شوند. برخلاف کارتهای قدیمی که تنها دارای یک نوار مغناطیسی بودند می توان چند صد بار اطلاعات وارد کرد و طوری برنامه ریزی نمود که تنها اطلاعات مربوطه را نمایان سازند. به عنوان مثال، می توان گفت این کارت در معامله ای در یک فروشگاه می تواند نشان دهد که پول کافی در حساب مشتری وجود دارد، بدون اینکه مبلغ پول را نمایان سازد. تلاقی کارت پلاستیکی قدیمی و یک پردازشگر کوچک، موجب شده تا اطلاعات ذخیره گردند، قابلیت دسترسی و پردازش بصورت آنلاین یا آفلاین [2] (با استفاده اینترنت یا بدون استفاده از آن) باشند. نامتشابه به کارتهای پلاستیکی معمولی که توسط دستگاه پردازشگر خوانده نمی شوند، قدرت پردازش این کارتها به آنها قابلیت چند کاره بودن را در هنگام پرداخت وجه می دهد، برای استفاده از طریق موبایل، تلویزیونها و ویدئوی شما و اتصال به کامپیوتری از طریق تلفن، ماهواره یا اینترنت در هر زمان و هر کجا در جهان.
تاریخچه:
اصلیت تاریخی این تکنولوژی در قرن هفدهم در زمانی است که مخترعین آلمانی، ژاپنی و فرانسوی حق ثبت اختراع خود را ارائه دادند. در حالیکه مخترعین در ایالات متحده، ژاپن، استرالیا، جایی که حق ثبت صادر می کردند، فرانسویها با ارائه تکنولوژی، پول خوبی به جیب زدند. آنها این کار را در دهه 1970 انجام دادند که زمان سرمایه گذاری اصلی ملی در مدرنه سازی زیربنای اقتصادی تکنولوژی ملتشان بود.
27 صفحه فایل ورد قابل ویرایش
فهرست مطالب:
مقدمه:
تاریخچه:
ساختار:
امروزه ، سه نوع کارت هوشمند وجود دارد:
1- کارتهای میکروپردازشگر مدار منسجم (IC)
2- کارتهای حافظه مدار منسجم (IC) :
کاربردها:
3- کارتهای حافظه نوری (optical)3
کاربردها:
اصول عملکرد کارت:
فواید:
کاربردهای کارتهای هوشمند:
کاربردهای تلفنی:
مؤثرسازی سرویسهای بهداشتی:
خدمات حمل و نقل خودکار:
اینترنت:
آینده:
دانلود مقاله پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری
چکیده
قرار است نانوتکنولوژی یکی از فناوریهای کلیدی و کارآمد قرن 21 شود. قابلیت اقتصادی آن، حاکی از وجود بازاری بالغ بر چندصد میلیارد یورو برای این فناوری در دهة بعد است. بنابراین نانوتکنولوژی موجب جهت‌دهی فعالیتهای بسیاری از بخشهای صنعتی و تعداد زیادی از شرکتها در جهت آماده‌سازی آنها برای این رقابت جدید شده است. در همین زمان دولتمردان در بخشهای تحقیق و توسعه در سراسر دنیا نیز در حال اجرای برنامه‌های تحقیقاتی خاص در زمینة نانوتکنولوژی هستند تا آیندة کشورهای خود را به وضعیتی مطلوب برسانند. هدف این مقاله، استفاده از شاخصهای تکنولوژیکی و علمی برای پیش‌بینی پیشرفت اقتصادی و مقایسة وضعیت کشورهای مختلف است.
1- مقدمه
علوم نانو در دو دهه گذشته، پیشرفت بزرگی حاصل کرده است. ما شاهد کشفیات علمی و پیشرفتهای تکنولوژیکی مهمی بوده‌ایم. به عنوان مثال، این پیشرفتها شامل اختراع میکروسکوپ تونل‌زنی پیمایشگر (STM) در سال 1982 ]1[ یا کشف فولرینها در سال 1985 میباشد]2[. در حال حاضر تعداد اندکی از محصولات مبتنی بر نانوتکنولوژی به استفادة تجاری رسیده‌اند. با این وجود، آیا دانش واقعی علمی، جوابگوی اشتیاق جهانی نسبت به این فناوری هست ؟ تا چه حد احتمال دارد که بازار جهانی در طی 10 تا 15 سال آینده به هزار میلیارد دلار در سال برسد]3[؟
ارزیابی قابلیت فناوریهای تکامل یافته کار آسانی نیست و برای یک فناوری جدید مثل نانوتکنولوژی، این کار دشوارتر است. البته در پیش‌بینی سعی می‌شود از شاخصهایی استفاده شود که توانشان در پیش‌بینی قابلیت دیگر فناوریهای جدید به اثبات رسیده باشد. دو تا از واضح‌ترین شاخصهای پیش‌بینی، تعداد مقاله‌های علمی و تعداد اختراعات ثبت شده هستند. اولی معمولاً شاخص خوبی برای فعالیتهای علمی و دومی برای قابلیت انتقال نتایج علمی به کاربردهای عملی است. شکل 1 تکامل تدریجی انتشارات و اختراعات نانوتکنولوژی از شروع دهة 1980 تا 1998 را نشان می‌دهد. اطلاعات انتشارات جهانی نانوتکنولوژی از داده‌های Science Citation Index (SCI) اقتباس شده است. اختراعات نانو، آنهایی هستند که در European Patent Office (EPO) در مونیخ ثبت شده‌اند. اختراعاتEPO داده‌های بسیاری از کشورها را در بر می‌گیرد. از نظر گسترة کار و هزینة بالا، منطقی به نظر می‌رسد که مخترعین از اختراعات به صورت تجاری بهره‌برداری کنند. لیستی از کلمات کلیدی علوم و فناوری نانو جهت دستیابی به انتشارات، اختراعات و روشها منتشر شده‌است]4[.
49 صفحه فایل ورد قابل ویرایش
فهرست
مقالة ویژه: پیش‌بینی پیشرفت نانوتکنولوژی با کمک شاخصهای علم و فناوری 1
مرکز جدید نانوتکنولوژی ارتش آمریکا 11
همکاری تایوان با کانادا در زمینة نانوتکنولوژی 14
گزارشی از شرکتهای نانوتکنولوژی ژاپن 16
تلاش برای توسعة نانوتکنولوژی در اروپا 18
سرمایه‌گذاری در نانوتکنولوژی 18
امتیازی برای ساخت حسگرهای زیستی 20
اولین نمایشگاه بین‌المللی نانوتکنولوژی در سوئیس 21
اندازه‌گیری؛ چالشی در نانوتکنولوژی 23
ذخیرة 250 ترابیت در یک اینچ مربع 25
حسگرهای هیدروژنی جدید 27
تولید هزاران کیلو نانوذرات در یک شرکت نانومواد 28
دو موفقیت بزرگ در ترانزیستور تک سلولی 30
تهیة زیروژلهای کروموفوریک 32
توسعة کریستال فوتونیک 34
انستیتو نانوتکنولوژی نظامی 35
اختراع ابزار آشکارسازی DNA با درجة تفکیک بالا 42
تحقیق در مورد آشنایی با ابررسانه
لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 23
فهرست مطالب:
1-1 مقدمه
1-2 ساختار بلوری سیستم بیسموت(BSCCO)
1-3 مفهوم ابررسانایی
1-3-1 دمای گذار
1-3-2 معادلات لندن، عمق نفوذ و جریان های پوششی
1-3-3 اثر مایسنو
1-3-4 نظریه BCS :
1-3-5 اندرکنش الکترون – فونون:
1-3-6 ترمودینامیک ابررسانایی
1-3-7 انرژی آزاد ابررسانایی
1-3-8 آنتروپی در حالت ابررسانایی
1-4 اندرکنش الکترون- فونون، تئوری BCS
ساخت ابررساناهای گرم
2-2 روش کلوخه ای
2-2-1 روش واکنش حالت جامد
مرحله (الف) تهیه پودر همگن
مرحله (ب)، تکلیس
مرحله (ج) کلوخه سازی:
مرحله (د) اکسیژن دهی
مقدمه
در سال 1911، کامرلینگ اونس[1] هنگام کار کردن در آزمایشگاه دمای پایین خود کشف کرد که در دمای چند درجه بالای صفر مطلق، k 2/4، جریان الکتریسیته می تواند بدون هیچ اتلاف اختلاف پتانسیل در فلز جیوه جریان پیدا کند. او این واقعه منحصر به فرد را ابررسانایی[2] نامید. کامرینگ در سخنرانی نوبل سال 1913 گزارش داد که حالت ابررسانایی می تواند به وسیله اعمال میدان مغناطیسی به اندازه کافی بزرگ از بین رود.
در حالی که یک جریان القاء شده در یک حلقه بسته ابررسانا به مدت زمان فوق العاده زیادی باقی می ماند و از بین نمی رود. او این رخداد را به طور عملی با آغاز یک جریان ابررسانی در یک سیم پیچ در آزمایشگاه لیدن و سپس حمل سیم پیچ همراه با سرد کننده‌ای که آن را سرد نگه می‌داشت، به دانشگاه کمنویج به عموم نشان داد. بعد از کشف، ابررسانایی در بیش از یک هزار فلز، آلیاژ، ترکیبات و حتی شبه رساناها یافت شد. [1]، اما هیچ نظریه ای برای توضیح ابررسانایی در طول 46 سال بعد از کشف ارائه نگردید. اولین دلیل آن می تواند این باشد که جامعه فیزیک تا حدود 20 سال مبانی علمی لازم برای ارائه راه حل برای این مساله را نداشت: تئوری کوانتم فلزات معمولی. دوم این که تا سال 1933، هیچ آزمایش اساسی در این زمینه انجام نشد.
در این سال مایسنو و اوشنفلو گفتند که یک ابررسانا نه تنها در برابر عبور جریان مقاومت صفر دارد،بلکه به‌طور هم‌زمان خاصیت دیامغناطیس‌نیز از خود نشان می‌دهد.در سال1934، گورتر و کایسیمیر[3] مدل دو مشاوره‌ای را ارائه دادند.
طبق این مدل ابررسانا از دو نوع الکترون آزاد تشکیل شده:1- ابرالکترون (n2) 2- الکترون‌های معمولی(nn)با افزایش دما از صفر تا Tc چگالی الکترون‌های ابررسانشی کاهش و به چگالی الکترون‌های معمولی اضافه می شود و در دمای انتقال تمام الکترون ها به صورت الکترون های معمولی در می آیند.
سوم اینکه، وقتی مبانی علمی لازم بدست آمد، به زودی واضح شد که انرژی مشخصه وابسته به تشکیل ابررسانایی بسیار کوچک می باشد، حدود یک میلیونیم انرژی الکترونی مشخصه حالت عادی، بنابراین نظریه پردازان توجه شان را به توسعه یک تفسیر رویدادی از جریان ابررسانایی جلب کردند. این مسیر را لاندئو[4] رهبری می کرد. کسی که در سال 1953 به همراه گینزبرگ[5] یک تئوری پدیده شناختی را مطرح کردند و یک سری معادلات را فرمول بندی کردند، اما هرگز نتوانستند علت رخ دادن این پدیده را توضیح دهند.[2]
یک کلید راهنما در سال 1950 میلادی بدست آمد، وقتی که محققان در دانشگاه روتگزر کشف کردند که دمای انتقال به حالت ابررسانایی سرب با عکس M ارتباط دارد. M.M جرم ایزوتوپ سرب است. از آنجا که انرژی الرزشی شبکه همان بستگی را با M دارد، کوانتای پایه آنها، فونون ها، باید نقشی در ظهور حالت ابررسانایی داشته باشند. سرانجام در سال 1957، سه فیزیک دان به نام‌های باردین، کوپر و شیرفر[6] نظریه میکروسکوپی خود را ارائه کردند که بعدا به نام تئوری BCS شناخته شد.
در سال 1965 نقش فونونها در دمای گذار ابررسانایی در اثر ایزوتوپ تاییدی بر نظریه BCS بود. همچنین کوانتش شار و جریان تونلی شاهدان دیگری بر باور این نظریه بودند.