مقاله ترجمه شده "روند کاری موثر در سیستم های خورشیدی" 2013

در این بخش می توانید مقاله انگلیسی مهندسی برق به همراه ترجمه فارسی آن را دانلود کنید.  عنوان این مقاله ترجمه شده رشته مهندسی برق " یک مدل رقابتی در صنعت صفحات خورشیدی" می باشد. مقاله ترجمه شده که دانلود می کنید در سال 2013 در مجله Energy Economics چاپ شده است. مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی از لینک بالا قابل دانلود است. لازم به ذکر است که کل مقاله ترجمه نشده است، ولی قسمت اعظم مقاله ترجمه گشته است. در ادامه می توانید چکیده انگلیسی، و چکیده فارسی مقاله ترجمه شده " یک مدل رقابتی در صنعت صفحات خورشیدی" را ملاحظه کنید.

Abstract
We develop a model of competition in the solar panel industry. Solar firms manufacture panels that are differentiated both vertically and horizontally, and compete by setting quantities. The equilibrium of the model is consistent with a set of stylized facts that we document, including variation in prices, markups and market shares across firms. We calibrate the model using a new dataset data on prices, costs and shipments of leading solar companies, as well as solar sales in four leading markets. The calibrated model is applied to evaluate the impact of a decline in the price of polysilicon, a key raw material used in the manufacture of solar panels, on the equilibrium price of solar panels

چکیده

ما یک مدل رقابتی را در صنعت صفحات خورشیدی توسعه داده‌ایم.شرکتهای مربوط به این صفحات ، صفحات خورشیدی را تولید میکنند که هم از نظر افقی و هم از نظر عمودی با هم متفاوت هستند، و از نظر کمیتف مشخصات با هم رقابت میکنند. تعادل در مدل با واقعیات مستند شده که شامل تنوع در قیمت، سود حاصل از فروش و سهم بازار در بین شرکتها میشود، مطابقت دارد. ما مدل خود را با استفاده از داده‌های جدید از قیمت، هزینه و ارسال ، در شرکتهای خورشیدی پیشرو و همینطور در 4 بازار پیشگام ، کالیبره کرده‌ایم. مدل کالیبره شده ، برای ارزیابی تاثیر کاهش قیمت پلی‌سیلیکون بر قیمت تعادلی صفحات خورشیدی استفاده شد . پلی‌سیلیکون یک ماده خام کلیدی برای تولید صفحات خورشیدی است.

1-مقدمه

بخش مربوط به تولید برق ، بزرگترین سهم را در انتشار گازهای گلخانه‌ای دارد. بیشتر طرحها برای متعادل کردن انتشار گازهای گلخانه‌ای ، به فوتوولتاایک خورشیدی به عنوان یک تکنولوژی تولید برق نگاه میکنند که میتواند بخض قابل توجهی از تولید توسط سوخت فسیلی را با آن جایگزین کرد(ناکی سنوویچ و ریاحی 2002 ؛ بیکر و سولاک 2011؛ لوییس و نوسرا 2006) . با این حال در حال حاضر ، برق حاصل از فوتوولتاایک خورشیدی ، بخش کوچکی از برق جهان را تامین میکند. هزینه‌ی تولید برق با استفاده از سیستمهای PV خورشیدی ، در طول زمان کاهش پیدا کرده است. عامل اصلی این کاهش قیمت ، بدلیل کاهش قیمت مداوم صفحات خورشیدی به عنوان مولفه‌ی اصلی در سیستمهای PV بوده است(که به آن مدول خورشیدی هم گفته میشود.). این کاهشها، باعث شده است که قیمت برق خورشیدی تولید شده به قیمت برق تولیدی از منابع معمول ، نزدیکتر شود ، اما با این حال همچنان فاصله‌ای مان این دو قیمت وجود دارد.

دانلود پایان نامه طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

طراحی تقویت کننده در RF بطور چشمگیری با روشهای مداری فرکانس پایین مرسوم فرق دارد و در نتیجه به بررسی و ملاحظه ویژه ای نیاز دارد . علی الخصوص این واقعیت که موجهای ولتاژ و جریان روی عنصر فعال تاثیر می گذارد ، تطبیق مناسبی جهت کاهش VSWRو جلوگیری از نوسانات (تغییرات ) نامطلوب را ایجاب می نماید . به این دلیل معمولاً اولین قدم برای طراحی این پروسه یک تحلیل پایداری می باشد که به همراه دوایر عدد نویز و بهره جزء اساسی مورد نیاز برای بهبود مدارهای تقویت کننده ای است که اغلب با مقادیر بهره ، بهره هموار ، توان خروجی ، پهنای باند و شرایط با یاس مواجه می شود .

این فصل براساس مطالب گفته شده در فصلهای 2 و3 توسعه یافته است بطوریکه روابط توان خطوط انتقال خروجی برسی شده است .

بر هر حال بر خلاف مدار پسیو ، فصل 9 به ادوات اکتیو می پردازد بطوریکه به نظر می آید بررسی دقیق بهره و فیدبک دارای اهمیت اصلی باشد .

مواردی از قبیل بهره توان یک طرفه و دو طرفه مدار و نمایش گرافیکی آنها در نمودار اسمیت ، نقطه شروعی برای آنالیز گسترده عملکرد تقویت کننده ترانزیستوری فرکانس بالا می باشد .

خواننده باید به انعطاف پذیری نمودار اسمیت توجه کنید . که دایره بهره ثابت ، VSWRو پایداری میتوانند براساس ضرایب انعکاس و امپدانس بحث شده در فصل 3 روی آن قرار بگیرد .

بعلاوه حتی آنالیز یک نویز هم با تبدیل عدد نویز یک تقویت کننده به دوایری که در نمودار اسمیت نشان داده      می شود؛ قابل برسی است.

بعد از توجه به ابزار اساسی طراحی ، همچنین فصل 9 مدلهای مختلفی از تقویت کننده های توان و مشخصه های آنها از قبیل بهره هموار ؛ پهنای باند و اعوجاج درونی را به خوبی اختلافات بین تقویت کننده های یک و چند طبقه بررسی می کند .

69 صفحه فایل ورد قابل ویرایش

فهرست مطالب:
طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF
۱.۹ مشخصه های تقویت کننده ها
۲ـ۹ روابط توان تقویت کننده
۹-۲-۱ منبع RF
۲-۲-۹ بهره توان انتقالی
(۳ .۲. ۹) سایر روابط توان
مثال (۱ـ۹) روابط توان برای یک تقویت کننده RF‌
۳. ۹ ملاحظات پایدار ی
۱. ۳. ۹ دوایر پایداری
۲ .۳ .۹ پایداری غیر شرطی
مثال ۳ .۹ دوایر پایداری برای یک BJT در فرکانسهای عملکردی مختلف
مثال ۴ـ۹ : ناحیه پایدار در مقابل ناحیه ناپایدار یک ترانزیستور
۳ .۳. ۹ روشهای پایدار سازی
رسانای موازی
مثال ۵ـ۹ پایدار سازی یک BJT
۴ . ۹ بهره ثابت
۱. ۴. ۹ طراحی یک طرفه
مثال ۷ـ ۹ : محاسبه دوایر بهره منبع برای طراحی یک طرفه .
۲. ۴. ۹ عدد شایستگی یک طرفه :
مثال ۹ـ ۹ : تست قابل اجرا بودن طراحی یک طرفه
طراحی دو طرفه
مثال ۱۰ـ ۹ : بدست آوردن ضرایب انعکاس تطبیق شده مزدوج همزمان .
مثال ۱۱ـ ۹ : طراحی تقویت کننده با حداکثر بهره
۴. ۴. ۹ دوایر بهره توان قابل دسترسی و کاری
بهره توان کاری
مثال ۱۲ـ ۹ : بدست آوردن دایره بهره توان کار
مثال ۱۳ـ ۹ : طراحی تقویت کننده با استفاده از دوایر بهره کار ثابت
بهره توان قابل دسترس
۷.۵ دایره های عدد نویز
۹.۶ دایره های VSWR ثابت .
مثال ۹.۱۵: طراحی VSWR ثابت برای بهره و عدد نویز داده شده .
۹.۷ تقویت کننده های پهن باند و قدرت بالا و چند طبقه ای
۹.۷.۱ آمپلی فایرهای پهن باند.
کاهش عدد نویز در فرکانسهای بالا:
فرکانس جبران شده شبکه های تطبیق:
طراحی آمپلی فایر متعال شده
مدار های فیدبک منفی:
۹.۷.۲ تقویت کننده های قدرت بالا
۹.۷.۳ تقویت کننده های چند طبقه :
۹.۸ خلاصه
مطالعه بیشتر
مسائل

دانلود مقاله نگاهى به تفاوت سنسورهاى CCD و CMOS

همانطور که می دانید، تفاوت اساسى دوربین هاى دیجیتال با دوربین هاى اپتیکال (فیلمى) در آن بود که دوربین هاى دیجیتال فاقد فیلم بودند. این دوربین ها حاوى یک سنسور بودند که نور را به بارهاى الکتریکى تبدیل مى کردند.

سنسورهاى تصویرى انواع مختلفى دارند. سنسور تصویرى که توسط اکثر دوربین هاى دیجیتال استفاده مى شود از نوع CCD (Charge Coupled Device) است. برخى دیگر از دوربین ها از سنسور CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) استفاده مى کنند. اگرچه سنسورهاى CMOS به زودى گسترش مى یابند و استفاده از آنها در دوربین هاى دیجیتال رایج تر مى شود، اما هیچگاه نمى توانند جاى سنسورهاى CCD را بگیرند.ابعاد سنسورهاى تصویرى از ابعاد فیلم کوچک تر است. براى مثال ابعاد هر فریم از یک فیلم ۱۳۵ معمولى ۲۴ میلیمتر در ۳۶ میلیمتر است. اما سنسورى که براى ایجاد یک تصویر ۳/۱ مگاپیکسل استفاده مى شود حدوداً ۵ میلیمتر در ۷ میلیمتر است.

هر سنسور CCD مجموعه اى از دیودهاى حساس به نور کوچک است که فوتون (نور) را به الکترون (بار الکتریکى) تبدیل مى کند. این دیودها که فتوسایت نامیده مى شوند، به نور حساس هستند. هر اندازه نور شدیدترى به یک فتوسایت تابیده شود، بار الکتریکى بیشترى در آن فتوسایت القاء مى شود.
سنسورهاى CMOS نیز به روش مشابهى نور را به بار الکتریکى تبدیل مى کنند. پس از این مرحله مقادیرى بار الکتریکى روى هر فتوسایت باید خوانده شود. تفاوت اساسى این دو سنسور در روش خواندن مقادیر بارهاى الکتریکى است. در سنسورهاى CCD بار الکتریکى به همان صورت وارد یک تراشه مى شود و به صورت درایه اى از درایه هاى یک ماتریس دو بعدى قابل خواندن است. سپس مقدار این درایه ها (که هنوز آنالوگ هستند) توسط یک مبدل آنالوگ به دیجیتال به اطلاعات رقمى تبدیل مى شود. در سنسورهاى CMOS هر پیکسل چندین ترانزیستور به همراه دارد که وظیفه آنها تقویت بارهاى الکتریکى در لحظه دریافت نور است. اگرچه تقویت نور توسط ترانزیستورها در هر پیکسل مستلزم وجود مدارات پیچیده ترى نسبت به سنسورهاى CCD است، اما از آنجا که تک تک پیکسل هاى این سنسورها به صورت مجزا قابل دسترسى هستند، این سنسورها از قابلیت انعطاف بیشترى برخوردارند.
براى جلوگیرى از ایجاد اعوجاج ضمن انتقال بارها در تراشه، سنسورهاى CCD به روش ویژه اى تولید مى شوند. حاصل به کار بردن این پروسه ویژه، تصاویر با کیفیت ترى از لحاظ صحت داده هاى خوانده شده و حساسیت نور است. از سوى دیگر سنسورهاى CMOS به همان روشى تولید مى شوند که اکثر تراشه ها و پردازنده هاى کامپیوترى ساخته مى شوند. اختلاف روش تولید، تفاوت هاى زیادى بین سنسورهاى CCD و CMOS ایجاد کرده است:

20 صفحه فایل ورد قابل ویرایش