مقاله در مورد یون گیری واکنشی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:96

 فهرست مطالب

مقدمه :

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:

1-معرفی

فیزیک پلاسمافرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

مدل سیفتیک گازیمدل توزیع ماکسول- بولتزمنمدل گازی ساده شدهمحتوای انرژینرخ برخورد بین مولکولهامسیر آزادسیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطحفشار گازیخواص انتقالجریان گازوضعیت سیالرسانایی رساناهااحتمال برخوردپراکندگی گاز- گارپراکندگی ذره از یک آرایش ثابتانتشار ارتجاعیبرخورد غیر ارتجاعینمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعیعکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

توزیع انرژی الکترونیسینتیک همگونی پلاسمامدل توزیع (مارجینوا)مدل توزیع (دروی وشتاین)انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضاییسینتیک گاز رقیق شدهشکافت انتشار دو قطبیتجمع غلافسینتیک سادة غلافحفاظت یا پوشش «دیبای»تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)آزمایش غلاف بوهمخصوصیات میلة آزمایششکست و نگهداری، تخلیة rfتقریب میدان مشابهتقریب میدان غیرمشابهمدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rfاندازه گیری تخریب rfمدل توازن الکترونیکیمقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شدهارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rfخود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)سیستم همگن (متقارن)توزیع ولتاژ در سیستم rfتوزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارنمدار معادل تخلیة rfتنظیم الکترودهاسینتیک بمباران یونیتخلیة اپتیکیلم اندازه گیری حرکتریزنگاری تخلیة اپتیکیفرآیند برخورد الکترونبرخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونیبمباران خنثی امیژن ثانویهعمل فتوامیژن الکترونهای ثانویناحیة کاتدییونیزاسیون در غلافتوزیع انرژی یونهاالکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)ناحیة آندمدل سازی پلاسمایی DC

5-تخلیه های Rf

فیزیک پلاسمای rf خازنیفیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترونفیزیک تخلیة هلیکون

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور

همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده هاشبکه های الکترونیکی همسان ساده شدهتنظیم کننده های موج کوتاهرآکتورهای لوله ایرآکتورهای صفحه موازی (دیودی)رآکتورهای صفحه موازی نامتقارنگیرندگان یون واکنشیگیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.گیرندگان اشعه یون واکنشیبایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادینگیرندگان دیودی ارتجاعیرآکتورهای تریودیبایاسینگ Rfمحدود کردن مغناطیسی چند قطبیمنابع پلاسمای غیر قابل دسترسیECR توزیع شدهمنابع در حال جریان نزولیماگنترولهامونتاژ کردن لایه لایه ایتبرید برگشتی هلیوممحکم کاری الکترواستاتیک جستجوی نقطة نهاییتجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکیثبت حرکات تداخلیثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلیمونیتورینگ یا مشاهده امپدانسیفاز گازیتولید اتم اکسیژنبارگزاری رآکتورهاواکنشهای سطحیشیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.ارتقاء پلمیریسینتیک مواد نشتی یا رطوبت دهالکترون گیری شیمیایی فزاینده یونیاتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکونالکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شدهالکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شدهالکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شدهمقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.توده نگاری میکروسکوپیمیلة آزمایش لانگ میرفلورسنت القایی با لیزرتحلیل امپدانس پلاسماییثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده

طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

ده مبارزه برتر الکترون گیریمکانیزمهای گسترش مقطعیجهت دار شدن بمباران یونی از پلاسماپراکندگی یونی در جوله های خاصتغییر سطوح در جلوه های ویژهالکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگیاتم گیری با القاء یونیاتم گیری خودبخودجابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسماجابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیداتشکستجاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)نسبت منظری الکترون گیری وابستهتجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

مدل سازی سطحی ساده شدهخصوصیات شبیه ساز مونت کارلومصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوحپراکندگی یکنواخت و غیریکنوختانتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزایندهپراکندگی از قسمت سطح منبعارتقاء کیفیت سطحیمقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازیتجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونهاپراکندگی یونیجهت دار شدن یونیزاویة ماسکترکیب مجدد سطحیجابجایی از پلاسماتأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهریخشن کردن سطوح در حین اتم گیری

10-تخریب پلاسما

آلودگیخصوصیات منحصر به فردتخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوزتخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکیتخریب چهارچوبها و قابهاخوردگی بعد از اتم گیری

11-فرآیندهای اتم گیری

الکترون گیری و الکترون دهی اعضاپلی سیلیکونالکترون گیری دروازه ایالکترون گیری اکسیدیالکترون گیری نیتریدیالکترون گیری دی الکتریک با K پائینالکترون گیری آلومینیومالکترون گیری مس

12-جابجایی

انتشارجرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی هاجابجایی انتشار بایاستنظیم با خط صحیح دیدمنابع رطوبت ده با غلظت بالاترکیب و آلیاژ جابجایی انتشاری عکس العملیمقدمه چینی برای هدفجابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسماوسایل و تجهیزات مربوط به VDتمیز کردن اطاقک واکنشعملیات آزمایشی PECVD و ماهیتنیترید سیلیکوندی اکسید سیلیکونآکسی فلورید یدهای سیلیکوناکسیدهای سیلیکون و کربنلایه های پرفلور و کربن

13-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ

جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیریناستفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافتهمقیاس گذاری منابع پلاسمامنابع پلاسمای خطیمنابع جاری پلاسما

14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند

وسایل عمل آزمایشیآزمایشاتمشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدیمکانیزم پیش بینی شده برای کاهش استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)کاهش PFCهای دیگرجمع بندیکاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسماسابقهخلاصة نتایجنمرة تحقیقات و نتا

معرفی سمینار (همایش)

تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.

بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک. ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت. ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت. سپس همین مفاهیم رآکتور در کل و به طور عمومی برای پردازش پلاسمایی مورد استفاده قرار خواهند گرفت. موارد کاربردی مثل پردازش (فرایند) نمایش صفحه ای، استرلیزه کردن، پاک کردن، لایه گذاری یا پوشش دادن با پاشیدن مایع، تصحیح و تغییر سطح پلی مری و انبار کردن، مورد بحث واقع خواهند شد. این سمینار مشابة آن چیزی است که آقای Herb Sawin در دانشگاه MIT در 20 سال گذشته تدریس و معرفی کرده است. این مطلب در طول 16 سال گذشته تا کنون به مهندسین صنعتی در قالب یک برنامة تابستانی یک هفته ای در MIT معرفی و پیشنهاد می شده و در بسیاری از شرکتها هم اکنون روی خط ارتباطی خود، آن را دارند.

نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار

هر سال که یادداشت ها و مقاله های سمینار توسعه می یابند و بازنگری و تصحیح می‌شوند، محتویات برنامه هم عوض می شوند. یادداشتهای سمینار بتازگی بالغ بر 450 صفحه می شوند و مدارکی در برگیرندة تمام موارد و مواد مطرح شده و پیشنهاد شده در سمینار می باشند. این متن کاملاً فهرست بندی و دارای ضمیمه و مرجع شده است. موارد زیر (فهرست زیر) مواضع و موضوعاتی هستند که توسعه یافته و تغییر کرده اند و برای ارائه در سمینار جاری آماده شده اند.

شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin

سخنران برنامه آقای هرب ساوین است، پروفسور مهندسی شیمی، مهندسی الکتریسیته و علوم کامپیوتر از انستیتو تکنولوژی ماساچوست (MIT). فروفسور ساوین در حدود 22 سال بر روی موضوع پردازش (فرایند) پلاسما کار کرده و در حدود 160 مقالة تألیف شده و رساله (یادداشت) در پروندة خود دارد. تحقیقات او شامل مطالعه در فیزیک پلاسما، شیمی پلاسما، واکنش های سطوح تغییر و تصحیح سطوح، عیب یابی و تعمیر پلاسمایی، مدل سازی (ارائه مدل) از پردازش. در مورد ویژه او بطور نزدیک با صنعت در توسعه و درک مفاهیم یون گیری الکترونها و ذخیره سازی بخار شیمیایی غنی شده با پلاسما، کار کرده است و نیز عیب یابی پلاسمایی و تمیز کردن لایه های مجاور با میکرو- ماشین ینگ (Micro Machining) «همین او یک متبکر در بیش از 8 مقاله و رساله است که 5 تای آنها از MIT برای صنایع (صنعت) و تکنولوژی اجازه نامه گرفته اند. این مقالات راجع به موضوعات زیر بحث می کنند»:

طلاق

طلاق

مقدمه
بنام حضرت دوست که خانه فلک را بی‌مدد بر افراشت و چرخ عظیم آسمان را بی‌عروض بپا داشت و در سرزمین تابناک عقل نهالی را بارور ساخت که ریشه‌اش را اندیشه ساقه و برگش را سخن و میوه‌اش را نگارش نام نهاد . خانواده به عنوان باقداست‌ترین نهاد اجتماعی در عرضه مناسبات فردی و گروهی است و از اهمیتی ویژه برخوردار است . و در تاریخ مستمر ملتها بحدی مهم بوده که هیچیک از مکاتب سیاسی ، اجتماعی ، فلسفی از پرداختن به آن بی‌نیاز نبوده‌اند خصوصاً در عصر حاضر با تدوین وتصویب مقررات در مقام حفظ این نهاد اهمیت داده‌اند .
و......

فهرست مطالب:
مقدمه
فصل اول : کلیات ومفاهیم
مبحث اول: طلاق
گفتار اول : تعریف طلاق
1-تعریف لغوی طلاق
2-طلاق از نظر اصطلاحی و شرعی
3-طلاق از نظر حقوقی
مبحث دوم : ارکان طلاق و شرایط صحت آن
گفتار اول : صیغه طلاق ، شرایط مرد طلاق دهنده ، ( مطلق ) ، شرایط زن
طلاق داده شده ( مطلقه) گواه گرفتن بر اجرای صیغه
1-صیغه طلاق
الفاظ طلاق
2-1 مستندات قول فقها درباره صیغه طلاق
3-1 آرای حقوقدانان اسلامی
2- شرایط طلاق دهنده ( مطلق )
1-2 بلوغ
2-2 عقل
3-2 اختیار
4-2 قصد
3- شرایط مطلقه ( طلاق داده شده )
3-1 زوجیت
3-2 دوام
3-3 طهارت از حیض و نفاس
4- اشهاد
شرایط شهود
4-1 مرد باشد
4-2 عادل باشد
4-3 استماع صیغه طلاق
فصل دوم : اقسام طلاق
مبحث اول : طلاق سنت – طلاق بدعی ، طلاق غیر امامی ، طلاق بائن
طلاق سنت
طلاق بدعت
طلاق غیر امامی
نظر حقوق‌دانان اسلامی
طلاق بائن
طلاق رجعی
مبحث دوم : آثار طلاق نسبت به طلاق بائن
گفتار اول : قاعده جدایی کامل دو همسر
گفتار دوم : مسکن زوجه در طلاق بائن
منابع و مآخذ:
..........................
ادامه مطلب در دانلود فایل قابل مشاهده است
............................
نوع فایل: ((ورد-word-doc-dox))

تعداد صفحات: 60 صفحه

حجم فایل: 250 کیلوبایت

قیمت: 6000 تومان
..............................