لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه:12
فهرست:
شرح و بسط کامل مدار ضبط و پخش دیجیتالی
مقدمه
روشهای مختلفی برای ضبط اطلاعات صوتی وجود دارند که مهمترین آنها عبارتند از (ضبط مکانیکی اطلاعات صوتی) و (ضبط دیجیتالی صدا بروش الکترونیکی)
روش اول قدیمی بوده و در این شیوه از ضبط صدا بصورت مغناطیسی روی نوار و یا بصورت شیارهای مکانیکی روی صفحه و یا بصورت علایم نواری روی سلونوئید فیلم بهره میجویند.
اما روش دوم، یعنی ضبط الکترونیکی صدا، جدید بوده و چیزی نمانده تا مراحل تکامل خود را پشت سر بگذارد و امروزه بسیار متداول شده و میرود تا روشهای مکانیکی قدیمی را از رده خارج کند.
چگونگی ضبط دیجیتالی صدا
همانطور که اطلاع دارید، هر سیگنال صوتی دارای چند مولفه اصلی از جمله: ارتفاع، فرکانس و شدت میباشد که برای حفظ اصالت صدای اصلی تمام این مولفهها در هنگام ضبط صدا باید رعایت شوند.
اساس ضبط تمام سیگنالهای صوتی تبدیل آنها به اطلاعات دیجیتالی، سپس نگاهداری آنها در واحدهای حافظه میباشد.
«دیجیت یا دیجیتال» در زبان انگلیسی به معنای عدد، رقم و شمره میباشد، پس چنین میتوان دریافت که در این روش اطلاعات مورد استفاده در تمام موارد ـ اعم از صوت یا تصویر ـ نه بر اساس ولتاژ و جریان بلکه بر اساس کدهای عددی مانند صفر و یک (0ـ 1) تعریف میشوند.
واحدهای حافظه دیجیتال میتوانند حافظههای غیر فرار مانند دیسکهای نوری یا مدار مجتمع EPROM یا حافظههای قابل ضبط مانند: دیسکهای مغناطیسی، نوارهای ضبط مغناطیسی و یا مدارات مجتمع استاتیک (پایدار) موسوم به STATIC RAM و یا حافظههای دینامیک (پویا) موسوم به DYNAMIC RAM باشند که مدار مورد نظر ما از این نوع بوده و اختصاص DRAM نامیده میشود.
در این قسمت (صفاپور) توضیحات بسیار مفصلی در رابطه با مطالبی مانند: الکترونیک دیجیتال، آنالوگ، مبدل آنها به همدیگر، بیت و بایت، حافظههای استاتیک و دینامیک و غیره ارائه دادهاند که توضیح آنها متناسب با این کتاب تشخیص داده نشد و حذف شدند. (مولف).
لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه:21
فهرست و توضیحات:
چکیده
مدار شماره 1
مدار شماره 2
توان عناصر
آنالیز در حوزه زمان Time domain :
ترانزیستور
در مدار شکل زیر توسط آنالیز Bias point نقطه کار شامل IB، IE، IC، VBC و VCE را بدست آورید. سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز نموده و موارد خواسته شده را اندازه گیری کنید.
برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog مقاومت R و خازن C-elect و از کتابخانه Source منبع ولتاژ سینوسی (VSIN) ترانزیستور Q2N2219 و از کتابخانه Bipolar انتخاب کرده و در محیط کار قرار می دهیم و سپس توسط گزینه Place wire مدار را ترسیم می کنیم و زمین را که به نام O/Source مشخص شده است در جای مناسب قرار می دهیم و ظرفیت مقاومت ها و خازن ها را با دابل کلیک کردن بر روی مقدار ظرفیتی که از پیش انتخاب شده است مقدار ظرفیت مورد نیاز را وارد می کنیم و برای منبع ولتاژ سینوسی مقدار Freq=1K,VAMPL=10mv,Voff=0 را با دابل کلیک کردن روی آنها مقدار لازم را وارد می کنیم و با استفاده از (Vin) Place Netaliul و (Voo) در روی مدار مشخص می کنیم.
بعد از آن گزینه New Simulation Profile را در بالای صفحه انتخاب کرده و سپس نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.
و وارد محیط آنالیز می شویم و نوع آنالیز را Bias Point انتخاب کرده و OK را می زنیم. و سپس Run را اجرا می کنیم و با انتخاب این گزینه در بالای صفحه VCE و VBE را بدست می آوریم. و سپس با فعال کردن گزینه I جریان IB و IC و IE را بدست می آوریم.
سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز می کنیم و موارد زیر را بدست می آوریم.