تحقیق درباره مدار

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

 

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 

تعداد صفحه:21

فهرست و توضیحات:

چکیده

مدار شماره 1

مدار شماره 2

توان عناصر

آنالیز در حوزه زمان Time domain :

ترانزیستور

در مدار شکل زیر توسط آنالیز Bias point نقطه کار شامل IB، IE، IC، VBC و VCE را بدست آورید. سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز نموده و موارد خواسته شده را اندازه گیری کنید.

برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog مقاومت R و خازن C-elect و از کتابخانه Source منبع ولتاژ سینوسی (VSIN) ترانزیستور Q2N2219 و از کتابخانه Bipolar انتخاب کرده و در محیط کار قرار می دهیم و سپس توسط گزینه Place wire مدار را ترسیم می کنیم و زمین را که به نام O/Source مشخص شده است در جای مناسب قرار می دهیم و ظرفیت مقاومت ها و خازن ها را با دابل کلیک کردن بر روی مقدار ظرفیتی که از پیش انتخاب شده است مقدار ظرفیت مورد نیاز را وارد می کنیم و برای منبع ولتاژ سینوسی مقدار Freq=1K,VAMPL=10mv,Voff=0 را با دابل کلیک کردن روی آنها مقدار لازم را وارد می کنیم و با استفاده از (Vin) Place Netaliul و (Voo) در روی مدار مشخص می کنیم.

بعد از آن گزینه New Simulation Profile را در بالای صفحه انتخاب کرده و سپس نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.

و وارد محیط آنالیز می شویم و نوع آنالیز را Bias Point انتخاب کرده و OK را می زنیم. و سپس Run را اجرا می کنیم و با انتخاب این گزینه  در بالای صفحه VCE و VBE را بدست می آوریم. و سپس با فعال کردن گزینه I جریان IB و IC و IE را بدست می آوریم.

سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز می کنیم و موارد زیر را بدست می آوریم.