دانلود مقاله تحقیقی با موضوع تقسیم بندی قالیهای عثمانی بر اساس طرح و نقشه

دانلود مقاله تحقیقی با موضوع تقسیم بندی قالیهای عثمانی بر اساس طرح و نقشه که شامل 21 صفحه میباشد:

نوع فایل : Word

شرح محتوا

تقسیم بندی قالیهای عثمانی بر اساس طرح و نقشه

مقدمه

ترکیه‌ی امروز در منتهی‌الیه غرب آسیا و شرق اروپا قرار دارد. سه درصد خاک ترکیه در قاره اروپا و بقیه در قاره آسیا قرار دارد و به همین دلیل از گذشته‌های دور به این منطقه آسیای صغیر گفته‌اند. باید اذعان نمود که معرفی و طبقه‌بندی طرحهای مهم فرش ترکیه به علت خصوصیات خاص آن و از همه مهمتر گرایش بیش از اندازه به طرحهای هندسی، کاری مشکل می‌باشد. اصولاً کاربرد کلمه‌ی نقوش ساده شده در مورد بسیاری از آنها نیز باید با احتیاط صورت بگیرد. چرا که هویت بسیاری از نگاره‌ها برای ما مبهم است. به این ترتیب نمی‌توان نقوش فعلی را استلیزه یا تجرید یافته‌‌ی نقوش و حتی اشکال حقیقی دانست. در واقع کاربرد عبارت نماد (سمبول) و موارد مشابه نیز برای طرحهای فرش ترکیه تا حدودی با مشکل توأم است زیرا اصولاً ‌سمبولیسم نیز به آن مفهومی که در فرشهای چین و ترکستان وجود داشته و دارد، در این منطقه رایج نبوده و نیست. شاید بهترین راه برای یافتن پاسخ مناسب، انجام یک بررسی کوتاه از تاریخ شروع فرشبافی در این منطقه باشد که خود نیازمند یک بررسی تاریخی از منطقه آناتولی می‌باشد.

تاریخچه
تقسیم‌بندی قالیهای عثمانی بر اساس طرح و نقشه:
تقسیم‌بندی فرشهای عثمانی بر اساس دوره‌های تاریخی
الف) قالیهای قرن 13 میلادی یا قالیهای مشهور به سلجوقی:
ب) فرشهای قرون 14 و 15 میلادی یا فرشهای حیواندار و پرنده‌ای:
ج) فرشهای قرون 15 و 16 و 17 میلادی
فرشهای دربار عثمانی (فرشهای مملوک):
قالیچه‌های محرابی (نماز لیک)
نتیجه
منابع و مأخذ 

انتقال و توزیع برق 47 ص

انتقال و توزیع برق

47 صفحه در قالب word

معرفی  

انتقال و توزیع

مقایسه سیستم انتقال هوایی و زیرزمینی 

مزایا و معایب خطوط انتقال زیرزمینی 

انتقال با خطوط ابررسانا

توزیع توان با خطوط انتقال کم مقاومت 

خطوط رایج کم مقاومت ابررسانایی فیبرهای گرافیت با پوشش فلزی

خطوط انتقال انعطاف پذیر ولتاژ متناوب (FACTS) 

مبانی FATCSسیستم های عامل FATCSتوان الکتریکی سفارشی خازنهای پیشرفته 

عایقهای الکتریکی 

کابلهای توزیع 

کابلهای کششی عایقهای پیشرفته پلیمری انفجار زیرزمینی حل مشکل انفجارهای زیرزمینی یافتن محل خطا کابلهای هوشمند خوردگی سیم زمین و سیم خنثی و محافظت از آن 

ترانسفورماتورها 

ترانسفورماتورهای معمولی ترانسفورماتورهای فشرده ترانسفورماتورهای فرورزونانس ترانسفورماتئرهای حالت جامد 

منابع و ماخذ 

مقدمه

در دهه 60 ظرفیت تولید انرژی الکتریسیته در آمریکا تقریبا دو برابر شد و میزان 175GW به 325GW رسید ( هر گیگاوات معادل 109 وات است . ) پس میزان در سال 1974 به 474GW و تا سال 1980 به 600GW رسیده بود . در پایان سال 1993 ، از 700GW نیز گذشت . پیش بینی می شود که تا سال 2010 تولید باید به میزان 210GW افزایش یابد که در نتیجه میزان مصرف برق آمریکا به یک TW می رسد ( هر تراوات 1012 وات است . ) . تنها 20% ظرفیت فوق در حال احداث است .

مصرف رو به رشد الکتریسته معمولا بیشتر از تولید ناخالص داخلی است . با حرکت به سوی انحصار زدایی و رقابت فشرده این رشد باید به دقت پیش بینی شود . نظارت بر رعایت حریم خط انتقال و سرمایه گذاریهای کلان ایجاب می کند که رشد مصرف به دقت پیش بینی شود . از آنجایی که این عوامل هم در توزیع و هم در انتقال تاثیر گذارند ، در اینجا بین آنها تمایز قائل نمی شویم و به طور کلی صحبت   می کنیم .

قبل از بحران انرژی سال 1974 ، مصرف الکتریسیته در آمریکا و غرب اروپا در مدت نزیدک به 10 سال دو برابر شد که به معنی رشد سالانه 7% است . تا چند سال بعد از 1974 ، عوامل متعددی این میزان رشد را به 3% کاهش داد . در حال حاضر ، میانگین رشد مصرف خانگی در حدود 2% است . تا سال 2030 این میزان رشد در صورت افزایش مصرف از 30%  فعلی به 50% پیش بینی شده افزایش فوق العاده ای خواهد داشت . افزایش جمعیت و به تبع آن افزایش تراکم باعث افزایش تراکم باعث افزایش این میزان می شود زیرا انرژی الکتریکی کم هزینه ، امن ، و ارزان است . بالا رفتن سطح زندگی مردم نیز عامل موثری در رشد مصرف برق است .

پیش گفتار

توانمندی شرکتهای خصوصی برق در دو دهه آینده به طور خاص وابسته به بهبود سیستمهای قدرتشان است . می توان کابلهای هوشمندی ساخت که در یافتن مکان خطا مفید باشند و هم بتوانند در مراحل اولیه آن را شناسایی کنند . این باعث می شود رفع خطا در زمان بازبینی ادواری امکان پذیر شود ، پس از آنکه خسارات زیادی به بار آید . در صورتیکه سرمایه و تلاش لازم را برای توشعه و پیشرفت ترانسفورماتورها صرف کنیم می توانیم ترانسفورماتورهای کوچک تری بسازیم . نتیجه مستقیم این اقدام کاهش تلفات است . پیشرفتهای جدید در زمینه حل مشکل تجمع بارهای الکتریکی به دلیل حرکت روغن به مراحل موفقیت آمیزی رسیده است . قادر خواهیم بود الکتریسیته را با کیفیت بهتر به مشتریانی که به کیفیت بالا نیاز دارند برسانیم . محدود کننده های جریان ، نه تنها از سیستم محافظت می کنند بلکه فشار وارد بر کلیدها را کاهش می دهند .

مواد ابررسانا تلفات توان را کم می کنند و در نتیجه چگالی توان افزایش می یابد . در تولید این مواد دقت خاصی به کار می رود . همانطور که در تولید مواد نمیه رسانا به دلیل مسمومیت زایی شدید انجام می شود . حتی اگر بی خطر بودن این مواد ثابت شود ، همواره عموم مردم در پذیرفتن آن دچار تردیدند و شرکتها باید به موقع به سوالهای آنها پاسخ دهند . افزایش آگاهی مردم در مودر میدانهای الکترومغناطیسی نیز باید مورد توجه قرار گیرد . خودکارسازی در توزیع برق رایح می شود و باعث بهبود تحویل توان می گردد.

هر سیستم قدرتی در آینده باید قابلیتهای زیر را داشته باشد :

با راهبردهای مناسب در عرصه رقابت باقی بماند ؛خدمات بهتری عرضه کند ؛مدیریت بهتری برای امکانات خود داشته باشد ؛ عمر مقید تجهیزات را افزایش دهد ؛عیب یابی را بهبود بخشد ؛با قابلیت اطمینان بالاتر از تجهیزات نگهداری کند .

حال به بررسی تغییراتی که تا سال 2020 به وقوع خواهند رسید ؛ موارد دارای احتمال کمتر را تعیین و بر تغییرات اساسی و محتمل تاکید می کنیم . بیست سال زمان کوتاهی برای مشخص شدن تاثیرات تولید الکتریسیته به صورت غیر متمرکز است ولی سعی می کنیم بعضی از آثار آن را بررسی کنیم .

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است

فیلترهای میان گذر دو بانده با استفاده از رزوناتورهای دومودی

فیلترهای میانگذر دوبانده با استفاده از رزوناتورهای دومودی

56 صفحه در قالب word

فهرست مطالب                                                                                                                 

فصل اول: مقدمه

1-1 رزوناتورهای صفحه­ ای

1-2 فیلترهای پایین گذر صفحه ای

1-3 فیلترهای میان­گذر صفحه ای

1-3-1 فیلترهای میان گذر باند باریک و پهن باند

1-3-2 فیلترهای میان گذر فراپهن­باند

1-3-3 فیلترهای میان­گذر دوبانده

فصل دوم: ساختارهای چندلایه و کاربردهای فیلتری آن­ها

2-1 مقدمه

2-2 سطح مقطع خط هم صفحه چندلایه

2-3 عناصر شبه فشرده

2-4 فیلترهای پایین­گذر

فصل سوم: فیلترهای میان­گذر دوبانده با استفاده از رزوناتور دومدی

3-1 مقدمه

3-2 فیلتر مایکرواستریپ دوبانده

3-2-1 توپولوژی فیلتر

3-2-2 کنترل فرکانس مرکزی و پهنای باند

3-2-3 نتایج تجربی

منابع و مراجع

فصل دوم

ساختارهای چندلایه و کاربردهای فیلتری آن­ها

2-1 مقدمه

ساختارهای چندلایه یک فناوری بالقوه در مدارهای  MMICو  MICارائه می دهند [69-72و73]. این ساختارها به عنوان نامزد خوبی برای کاربردهای فیلتری معرفی شدند [70]. این ساختارها دارای بازه فرکانسی عریض تری و امپدانس مشخصه تقریبا ثابتی هستند و با قرار دادن این ساختارها در دو طرف زیرلایه می توان کوپلینگ خازنی موثری بین روزناتورها ایجاد کرد [70و72].

از ساختارهای چندلایه معمولا در تکنیک های موجبر هم صفحه (CPW)، خط مایکرواستریپ (ML) و استریپ لاین معلق (SSL) استفاده می شود. این ساختارها در طراحی اجزای مایکروویو و موج میلیمتری درجه آزادی بیشتری به طراح می دهند. ساختارهای چندلایه  CPWمعمولا بر روی یک فیلم نازک ساخته می شوند و نوارهای فلزکاری و صفحات زمین حکاکی می شوند [72]. در ساخت قطعات فرکانس بالا، ماده استفاده شده  برای فیلم نازک دی اکسید سیلسکون  SiO2است [74و75]. سپس، فیلم نازک بر روی یک زیرلایه سیلیکون با مقاومت ویژه بالا ساخته می شود. با این وجود، این فرآیند یک فرآیند پیچیده و گران است.

این فصل به بررسی ساختار چندلایه پرداخته و فیلترهای مختلفی را بر اساس این فناوری معرفی می کند. فیلترهای پایین گذر و بالا گذر فشرده با استفاده از این فناوری طراحی شده اند و توانایی این فیلترها را در یکپارچه شدن با ML ، CPW و یا هر دو را نشان می دهد. این فیلتر با استفاده از عناصر شبه فشرده طراحی شده است. در بخش آخر یک فیلتر استریپ لاین معلق فراپهن باند ارائه شده است. این فیلتر دارای باند قطع بسیار عریضی است، علاوه بر این، این فیلتر دارای تغییرات تاخیر گروه کمی در باند گذر می باشد.

2-2 سطح مقطع خط هم صفحه چندلایه

خط هم صفحه چندلایه (MCL) با سطح مقطع اصلاح شده در این بخش بررسی شده است. شکل 2-1 ساختار MCL پیشنهادی را نشان می دهد. تنها از یک زیرلایه استفاده شده است و فیلتر در دو سمت آن ساخته شده است. شکل 2-1 الف سطح مقطع MCL را نشان می دهد که برای کوپلینگ از پهلو استفاده می شود. در این ساختار می توان به کوپلینگ خازنی بالایی دست یافت، چرا که بین فلزکاری هر دو سمت زیرلایه هم پوشانی اتفاق می افتد.   

این ساختار را می توان با مدارهای مبتنی بر CPW و مایکرواستریپ بسته به سمتی که مدارها درآن ساخته می شوند، یکپارچه کرد. این مسئله در مورد خطوط مایکرواستریپ و CPW استاندارد صادق نیست، زیرا این فناوری ها نیازمند مجتمع سازی شبکه های انتقال با یکدیگر می باشند. شکل 2-1 ب سطح مقطع MCL را نشان می دهد که به منظور مجتمع سازی با خط CPW استاندارد طراحی شده است. شکل 2-1 ج سطح مقطع خطی را نشان می دهد که با خط مایکرواستریپ سازگار می باشد.

ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است

متن کامل را می توانید در ادامه دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه برای نمونه در این صفحه درج شده است ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه همراه با تمام ضمائم (پیوست ها) با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند موجود است

فوتودیودهای آوالانژ (APDS)

مقاله فارسی در فرمت ورد word قابل ویرایش – 14 صفحه

فوتودیودهای آوالانژ (APDS)

APDS سیگنال را در طی فرایند آشکارسازی تقویت می کنند . آنها از یک اصل مشابه با لوله های «فوتومولتی پلایر» بکار رفته در آشکارسازی تشعشع هسته ای استفاده می کنند . در لوله فوتومولتی پلایر :

1-یک فوتون واحد که بر روی دستگاه عمل می کند یک الکترون واحد منتشر می نماید .

2-این الکترون از طریق یک میدان الکتریکی شتاب داده می شود تا اینکه به یک ماده هدف برخورد نماید .

3-این برخورد با هدف باعث «فیلتراسیون ضربه ای» می شود که الکترون‌های متعددی را منتشر می نماید .

4-این الکترون ها از طریق میدان شتاب می گیرند و به هدف دیگر می‌خورند .

5-این امر الکترون بیشتری منتشر می کند و فرایند تکرار می شود تا اینکه الکترون ها به یک عنصر جمع آوری کننده برخورد می کند . لذا ، طی مراحل گوناگون ، یک فوتون به یک جریان از الکترون ها منجر می شود .

APD ها با لوله های فوتومولتی پلایر فرق دارند . لوله‌های‌فوتومولتی‌‌ پلایر‌

لوله های خلاء با هدف هایی قرار گرفته در طول لوله می باشند . APD‌ها از همان اصول استفاده می کنند اما تکثیر در داخل خود ماده نیمه هادی صورت می گیرد . این فرایند در APD ها منجر به یک تقویت داخلی بین 7 تا 100 برابر می شود . هر دو الکترون و سوراخ ها (حفره ها) اکنون می توانند به فرایند تقویت کمک نمایند . با این حال ، یک مسئله کوچک وجود دارد . با نگاه به   آشکار می شود که وقتی یک الکترون یک اتم را یونیزه می‌کند یک الکترون اضافی و حفره اضافی تولید می شود . الکترون به طرف چپ عکس حرکت می کند و حفره به سمت راست می رود . اگر حفره در اتم یونیزه شود یک الکترون (و یک حفره) آزاد می کند و الکترون به چپ حرکت می کند و دوباره شروع می نماید !‌

اگر سوراخ ها و حفره ها دارای فرصت برابر برای یونیزاسیون باشند می‌توانیم یک بهمن کنترل نشده بدست آوریم که هرگز متوقف نمی شود ! بنابراین وسایل طوری ساخته می شوند که یکی از حاملان بار دارای یک استعداد و آمادگی بیشتری برای یونیزاسیون نسبت به دیگری باشند .

نتیجه فرایند فوق آن است که یک فوتون وارد شونده منفرد بتواند منجر به تولید بین 10 تا 100 و یا چندین جفت حفره - الکترون شود . موارد مهم درباره دستگاه فوق الذکر آن است که ناحیه تکثیر خیلی کوچک است و جذب داخل لایه n بجای نزدیک به اتصال رخ دهد . یعنی ، جذب و تکثیر در نواحی جداگانه ای صورت می گیرند . شکل 103 را ملاحظه کنید . دو عامل مهم وجود دارد : 1-استحکام میدان الکتریکی مورد نیاز خیلی بالا است( ) . در حضور چنین میدان قوی ای ، نقائص در ناحیه تکثیر (مثل عدم انطباق های شبکه ای ، ناخالصی ها و حتی تغییرات در غلظت دو پانت) می توانند تولید نواحی کوچکی از تکثیر کنترل شده موسوم به «میکروپلازماسی» نمایند . برای کنترل این پدیده ناحیه تکثیر لازم است کوچک باشد . برای ایمنی این امر، حلقه محافظ فوق الذکر نصب شده است . در اطراف لبه های ناحیه تکثیر شما می توانید بی نظمی هایی و نقائصی را در ماده ببینید . بدون حلقه محافظ این موارد بصورت محل هایی برای میکروپلازماس عمل می کنند . بعلاوه ، برای ایجاد یک میدان الکتریکی با استحکام لازم ما لازم است یک ولتاژ بایاس کاربردی بکار بریم که با ضخامت ناحیه تکثیر افزایش می یابد . (برای دو برابر ضخامن ناحیه - دو برابر ولتاژ کاربردی مورد نیاز خواهد بود ) . دمای ولتاژها (ولتاژهای بالاتر از 12 ولت) گران قیمت بوده و به سختی در دستگاه‌های نیمه هادی کنترل می شوند و بنابراین سعی می کنیم ولتاژ کاربردی را حداقل نماییم ) . یک APD یک دیود P-i-n با یک بایاس معکوس بسیار بالاست . یک بایاس معکوس 50 ولت برای این دستگاه ها در مقایسه با دیودهای p-i-n بکار رفته در مورد فوتوکانداکتیو ، مناسب است که بایاس معکوس شده برای حدود 3 ولت است .(یا کمتر)

در گذشته ، APD ها در بازار به بایاس معکوس چند صد ولت نیاز داشتند اگرچه اخیراً‌ ولتاژهای کمتری بدست آمده اند . تفاوت ساختاری اصلی بین APD و یک دیود p-i-n در ناحیه «i» است که نام گذاری مجدد لایه p گرفته است . و بویژه ضخیم تر از یک ناحیه است و دستگاه برای تضمین یک میدان الکتریکی یکنواخت در کل لایه طراحی می شود . حلقه محافظ در این شکل برای جلوگیری از تعامل (اندرکش) های ناخواسته در طرف لبه های ناحیه تکثیر می باشد . دستگاه به این صورت عمل می کند :

فوتون های ورودی عمدتاً از اتصال n-p عبور می کنند (چون خیلی نازک است ) و در لایه ها جذب می شوند . این جذب کننده یک الکترون آزاد در نوار باند هادی تولید می کند و یک حفره در باند والانس (ظرفیت) تولید می گردد .

پتانسیل الکتریکی در لایه n برای جذب الکترون ها به طرف یک کنتاکت و حفره به طرف کنتاکت دیگر ، کافی است . در شکل الکترون ها به طرف لایه n+ در بالای دستگاه جذب می شوند زیرا وقتی دستگاه بایاس معکوس می‌شود بار مثبت را حمل می کند . گرادیان پتانسیل در لایه n برای حامل های کاربرها بار کافی نیست و آنها نمی توانند انرژی کافی برای انجام تکثیر را بدست آورند .

دانلود تحقیق پژوهشی با عنوان گیاهان مؤثربربیماریهای میگرن وافسردگی

دانلود تحقیق پژوهشی با عنوان گیاهان مؤثربربیماریهای میگرن وافسردگی که شامل 23 صفحه و بشرح زیر میباشد:

نوع فایل : Word

مقدمه : در اینروزها که نبرد زندگی توام با مشکلاتی و موانع گوناگونی است ، کسی که قوی نباشد در زیر این همه فشار خرد ونا بود می شود .

آنچه مسلم است هر انسانی در برابر فشارهای زندگی و اتفاقات مختلف هیجان انگیز ، دارای یک قدرت معین و به اصطلاح اطباء دارای یک آستانه تحملی می باشد وفشارهای محیطی تا این حد تحمل برای ایشان خطر ناک است اما چنانچه فشارهای محیطی از حدتحمل افزون تر شود نقطه تعادل روانی او به هم خورده و به مخاطره می افتد در واقع  زمانی که قدرت دفاعی یا نیروهای سازگاری شخص در کشمکشهای روانی و رویا رویی با مشکلات زندگی ضعیف باشند تعادل روانی شخص به هم می خورد .

هیجانات شدید ناگهانی می توانند عواقب نا گوار زیر را به دنبال داشته باشد مانند به خطر افتادن زندگی،خطر مصدوم شدن ، عدم احساس امنیت در زندگی و نا راحتی های روانی مخنلف که اغلب آنها دیر علاج می باشندبنابراین افراد بایدبپذیرند اغلب اتفاقاتی که ما آنها را گوارا یا ناگوار می پنداریم گذرا بوده وجاودانه نمی باشندو معمولاً قاد ر نیستنتد که مدام همراه ما باشند ودر مقابل آنچه گذرا نیست وباید بماند خود شخص وسلامتی اوست واگر شخص    به چنین آگاهی برسد وهم چنین ایمان او به خدای  متعال به حدی باشد که در هر پیشامدی راضی به رضای حق تعالی باشدو بر قدرت بیکران اوتکیه کندمقاومت او در برابر حوادث  مختلف به شدت افزایش می یابد

 مواد آرام بخشی که من در این تحقیق از آنها سخن به میان آورده ام در واقع مواد آرام کننده در موارد عصبی بوده،   درضعف اعصاب و به هم خوردن تعادل شیمیایی واسطه های مغزی موثر هستند.

در مقایسه با داروهای شیمیایی، این مواد اثر بسیار آرامتر  وملایمتر ی ازخود نشان می دهند و به علت اینکه مواد مؤثره موجود درگیاهان دارویی به دلیل همراه بودن آنها با مواد دیگر پیوسته از یک حالت تعادل بیولوژیک برخوردار می باشندلذا اثرات جانبی کمتری به بار می اورند واز این رو امتیاز وبرتری قابل ملاحظه ای نسبت به داروهای شیمیایی دارند دراین رابطه تنها موارد استثناء گیاهان سمی هستند که هرگز نباید بدون تجویز پژشک مصرف شوند.

داروهای جدید مخصوصاً داروهای آرام بخش ومسکن ظاهری آراسته دارند. بیماران با خوردن این داروهای خوش ظاهر وبد باطن مدت کمی راحت می شوند ولی کم کم به آن عادت کرده واسیر عوارض آن شده، دچار کمبود مواد غذایی وگرسنگی نامرئی می گردند .

اما افزایش روز افزون مبتلایان به بیماریهای روانی که جهان بشریت کنونی را با مشکل تازه ای روبرو ساخته افکار اندیشمندان را به خود جلب نموده است. آمارهای موجود نشان می دهدکه در دنیای پر سروصدای کنونی بیش از 90% مردم کم وبیش مبتلا به «آزار» های عصبی علنی ویا مخفی هستند ولو آنانی که به نظر کاملاً آرام وساکن وبی آزار وباارده جلوه می کنند. غالباً در باطن گرفتاریهای روحی شدیدی دارند که فقط علائم بی آزار کوچک وناچیزی از آنها ظاهر می شود.

تشویش ونگرانی وگرفتاریهای روحی بزرگترین بیماری قرن ماست زیرا هیچ مرضی اکنون تا این اندازه عمومیت ندارد که 90% مردم را شامل باشد...........